[发明专利]半导体晶片加工用紫外线固化型胶带和半导体芯片的制造方法以及该带的使用方法

权利要求书

1.一种半导体晶片加工用紫外线固化型胶带，该半导体晶片加工用紫外线固化型胶带至少具有基材膜和设置于该基材膜上的紫外线固化型的粘着剂层，其特征在于，

通过基于JIS Z 0237的对SUS304的90°剥离试验方法所测定的所述胶带的粘着力的值同时满足下述(1)和(2)：

(1)1.30≥[利用以波长365nm的LED灯为光源的紫外线照射装置进行的累积光量500mJ/cm²的紫外线照射后的粘着力]/[紫外线照射前的粘着力]≥0.50

(2)0.10≤[利用以高压汞灯为光源的紫外线照射装置进行的累积光量500mJ/cm²的紫外线照射后的粘着力]/[紫外线照射前的粘着力]≤0.50，

进一步满足2.0≤[利用以波长365nm的LED灯为光源的紫外线照射装置进行的累积光量500mJ/cm²的紫外线照射后的粘着力]/[利用以高压汞灯为光源的紫外线照射装置进行的累积光量500mJ/cm²的紫外线照射后的粘着力]≤100，

所述紫外线固化型的粘着剂层含有在侧链具有紫外线聚合性碳-碳双键的基础聚合物，

该基础聚合物中的紫外线聚合性碳-碳双键的导入量为0.8meq/g～1.8meq/g，

所述[紫外线照射前的粘着力]为1N/25mm～5N/25mm。

2.如权利要求1所述的半导体晶片加工用紫外线固化型胶带，其特征在于，所述粘着剂层含有光聚合引发剂，相对于所述基础聚合物100质量份的所述光聚合引发剂的含量为0.1～3.0质量份。

3.如权利要求1或2中任一项所述的半导体晶片加工用紫外线固化型胶带，其特征在于，所述粘着剂层含有紫外线吸收剂。

4.如权利要求1或2中任一项所述的半导体晶片加工用紫外线固化型胶带，其特征在于，其在切割半导体晶片的工序中使用。

5.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括下述工序(a)～(e)，

[工序]

(a)将紫外线固化型表面保护带贴合至表面具有图案面的半导体晶片的该图案面侧，在该状态下对该半导体晶片的背面进行磨削的工序；

(b)将权利要求1～4中任一项所述的半导体晶片加工用紫外线固化型胶带贴合至所述磨削后的半导体晶片的背面，并支撑固定于环形框架的工序；

(c)利用第1紫外线照射装置从所述表面保护带侧进行紫外线照射后，将所述表面保护带剥离的工序；

(d)使用切割装置从所述半导体晶片的图案面侧进行半导体晶片的切断，单片化成各个芯片单元的工序；和

(e)利用第2紫外线照射装置从所述胶带侧进行紫外线照射的工序。

6.如权利要求5所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述第1紫外线照射装置是以波长365nm的LED灯为光源的紫外线照射装置。

7.如权利要求5或6所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述第2紫外线照射装置是以高压汞灯为光源的紫外线照射装置。

8.一种半导体晶片加工用紫外线固化型胶带的使用方法，其特征在于，包括下述工序：对于在半导体晶片的一个面贴合有紫外线固化型表面保护带、在该半导体晶片的另一面贴合有权利要求1～4中任一项所述的半导体晶片加工用紫外线固化型胶带的半导体晶片，从该紫外线固化型表面保护带侧照射紫外线。

9.如权利要求8所述的半导体晶片加工用紫外线固化型胶带的使用方法，其特征在于，所述紫外线照射是以波长365nm的LED灯为光源的紫外线照射。

10.如权利要求8或9所述的半导体晶片加工用紫外线固化型胶带的使用方法，其特征在于，包括将所述紫外线照射后的紫外线固化型表面保护带从所述半导体晶片剥离的工序。