[发明专利]具有XTACKING架构的DRAM存储器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一晶圆，其具有形成于其中的阵列晶体管，其中，所述阵列晶体管包括：耦合至第一触点结构的字线结构的栅极结构，以及耦合至第一触点结构的位线结构的第二掺杂区；

第二晶圆，其具有形成于其中的电容器结构；

外围晶体管，其形成于第一晶圆或第二晶圆中的一者中；以及

形成于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的、包括多个键合结构的键合界面，所述多个键合结构被配置为将所述阵列晶体管耦合至所述电容器结构，以形成存储单元，其中，所述外围晶体管通过所述键合界面耦合到所述第一晶圆或所述第二晶圆中的另一者。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶圆包括第一衬底并且所述第二晶圆包括第二衬底，所述第一衬底具有第一侧和相反的第二侧，所述第二衬底具有第一侧和相反的第二侧，所述阵列晶体管位于所述第一衬底的所述第一侧中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

形成于所述第一衬底的所述第一侧上的所述阵列晶体管之上的第一电介质堆叠体；

形成于所述第一电介质堆叠体中并且延伸穿过所述第一电介质堆叠体的多个第一触点结构，所述第一触点结构的第一端子触点耦合至所述阵列晶体管的第一掺杂区；

第二电介质堆叠体，其形成于所述第二衬底的所述第一侧上，使得所述电容器结构位于所述第二电介质堆叠体中；

形成于所述第二电介质堆叠体中并且延伸穿过所述第二电介质堆叠体的多个第二触点结构；

形成于所述第二衬底的所述第二侧上的第三电介质堆叠体；以及

穿硅触点（TSC），其形成于所述第三电介质堆叠体中并且从所述第二衬底的所述第二侧延伸穿过所述第二衬底，以连接至所述第二触点结构的第二端子触点。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述电容器结构还包括：

杯状底板，其形成于所述第二电介质堆叠体中，以便延伸远离所述第二衬底的所述第一侧，并且耦合至所述第二触点结构的底板触点；

细长顶板，其位于所述底板之内并且耦合至所述第二触点结构的顶板触点；以及

位于所述底板和所述顶板之间的高K层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述底板触点与所述第一端子触点键合到一起，并且所述位线结构与所述第二端子触点键合到一起。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

形成于所述第一衬底的所述第一侧中的所述外围晶体管。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述外围晶体管还包括：

连接至所述第一触点结构的栅极触点的栅极结构；

连接至所述第一触点结构的源极触点的源极区；以及

连接至所述第一触点结构的漏极触点的漏极区，其中：

所述栅极触点、所述源极触点和所述漏极触点中的每一者键合至相应的第二触点结构。

8.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

形成于所述第二衬底的所述第一侧中的外围晶体管，其中，所述外围晶体管包括：

连接至所述第二触点结构的栅极触点的栅极结构；

连接至所述第二触点结构的源极触点的源极区；以及

连接至所述第二触点结构的漏极触点的漏极区，所述栅极触点、所述源极触点和所述漏极触点中的每一者键合至相应的第一触点结构。