[实用新型]一种传输储存设备有效
申请号: | 202023341518.1 | 申请日: | 2020-12-30 |
公开(公告)号: | CN214203643U | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 安徽华晟新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 彭一波 |
地址: | 242074 安徽省宣城市宣城经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 传输 储存 设备 | ||
本实用新型涉及一种传输储存设备,包括存储腔室,配置为存储目标组件;承载装置,设置于所述存储腔室的内部,配置为承载所述目标组件;升降装置,设置于所述存储腔室的顶部,配置为在竖直方向上带动所述承载装置进行往复运动;以及输送装置,设置于所述存储腔室的外部,配置为在水平方向上将所述目标组件输送至所述承载装置或从所述承载装置取出所述目标组件。本实用新型的传输储存设备结构设计简单,能够实现真空环境下太阳能电池基片的传输缓存,并能够实现传输方向的改变,减少太阳能电池在未完成全部镀膜状态下暴露在普通空气环境下的时间和几率,从而保证最终太阳能电池的质量和生产效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制备技术领域。具体地,本实用新型涉及一种在真空环境下传输储存太阳能电池的设备。
背景技术
异质结电池(Hetero Junction with intrinsic Thin layer,简称HJT,即带本征薄膜层异质结)是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。在异质结电池制造过程中,需要各种镀膜工艺,镀膜工艺环境均需要在真空环境下进行。异质结电池的基片为小型硅片(硅片大小为160mm×160mm左右),一般需要将硅片在真空室内进行传输以完成各种工艺或结构等。
异质结电池制造工艺一般需要在基片(即硅片)上进行若干次镀膜,并非单一膜层,在各个镀膜工序时,硅片会经过各个镀膜真空室。因每一步制备工艺的不同,硅片在各个工艺环节的时间也不同。为了保证生产效率的合理性,往往需要有缓存硅片的储存区。现有的硅片缓存区一般在非真空环境下,硅片会反复进出真空腔环节,即硅片会反复交替存在于真空和普通空气两种环境下。如此,不仅拖缓了生产节拍,并且由于普通空气中存在各种气体,而硅片在进行工艺时又会保持一定的温度,有可能会造成硅片膜层反应,影响镀层性质,从而影响整个电池效率。
实用新型内容
为解决如上所述的技术问题,本实用新型提供了一种在真空环境下传输储存太阳能电池的设备。通过简单的结构设计,能够实现真空环境下的太阳能电池基片的传输缓存,并能够实现传输方向的改变,减少太阳能电池在未完成全部镀膜状态下暴露在普通空气环境下的时间和几率,从而保证最终太阳能电池的质量和生产效率。
本实用新型涉及一种传输储存设备,所述传输存储设备包括:
存储腔室,配置为存储目标组件;
承载装置,设置于所述存储腔室的内部,配置为承载所述目标组件;
升降装置,设置于所述存储腔室的顶部,配置为在竖直方向上带动所述承载装置进行往复运动;以及
输送装置,设置于所述存储腔室的外部,配置为在水平方向上将所述目标组件输送至所述承载装置或从所述承载装置取出所述目标组件。
根据一种优选的实施方式,所述存储腔室为真空存储腔室,并且所述升降装置与所述承载装置以气密的形式进行连接。
根据一种优选的实施方式,所述升降装置包括螺旋升降机以及为所述螺旋升降机提供驱动力的动力装置,所述螺旋升降机包括升降机主体、伸缩杆和波纹管,所述波纹管包括波纹部以及置于所述波纹部内部的内轴,所述伸缩杆的一端与所述升降机主体连接、另一端与所述内轴铰接,所述伸缩杆经由所述波纹管与所述承载装置连接。
根据一种优选的实施方式,所述传输存储设备还包括直线轴承,所述直线轴承固定设置于所述存储腔室顶壁,所述波纹部套装于所述直线轴承的外部,所述内轴穿设于所述直线轴承内部并与所述承载装置的顶部连接。
根据一种优选的实施方式,所述动力装置包括伺服电机。
根据一种优选的实施方式,所述承载装置包括上板、下板和托起柱,所述托起柱配置为连接所述上板和所述下板,所述托起柱设置有卡槽以用于承载所述目标组件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽华晟新能源科技有限公司,未经安徽华晟新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202023341518.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电池片表层处理装置
- 下一篇:一种用于硅锰冶炼的上料除尘装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造