[实用新型]新型SiC MOSFET功率器件有效
| 申请号： | 202023158333.7 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN215069992U | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张景超;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 张励 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 sic mosfet 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型SiC MOSFET功率器件，其特征在于，包括：
衬底；
漏极金属层，所述漏极金属层设置于所述衬底下；
漂移区，所述漂移区设置于所述衬底上；
源区，所述源区设置于所述漂移区上；
阱区，所述阱区设置于所述源区上；
沟道区，所述沟道区设置于所述源区上；
沟槽，所述沟槽平行于所述沟道区中沟道电流方向设置，并且所述沟槽穿过所述沟道区并到达所述阱区；
栅极金属层，所述栅极金属层设置于所述沟槽上；
源极金属层，所述源极金属层设置于所述栅极金属层上。
2.根据权利要求1所述的新型SiC MOSFET功率器件，其特征在于，其中，
所述源区包括第一源区和第二源区；
所述阱区和所述沟道区的深度与所述沟槽的深度相同，并且在所述沟槽底部还设有第三源区。
3.根据权利要求2所述的新型SiC MOSFET功率器件，其特征在于，其中，所述第三源区的深度与所述第二源区的深度相同。
4.根据权利要求1所述的新型SiC MOSFET功率器件，其特征在于，其中，
所述源区包括第一源区和第二源区；
所述阱区和所述沟道区的深度大于所述沟槽的深度，并且所述第二源区的深度大于所述沟道区和所述阱区的深度。
5.根据权利要求4所述的新型SiC MOSFET功率器件，其特征在于，所述沟槽底部设有浮空区，在所述浮空区周边还设有N型掺杂物质以形成掺杂区。
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