[实用新型]基板检测装置及基板处理系统有效
申请号: | 202023157027.1 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN214203618U | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 郑有善;金炯剟 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 装置 处理 系统 | ||
公开基板检测装置及基板处理系统。根据一个实施例的基板处理系统可包括:处理液涂覆单元,其将处理液涂覆于基板;基板干燥单元,其用于对涂覆有处理液的基板进行干燥;基板移动单元,其从处理液涂覆单元中搬出基板,并将基板搬入基板干燥单元;第一检测部,其在从处理液涂覆单元中搬出基板的过程中,检测基板的处理液涂覆状态;以及第二检测部,其在将基板搬入基板干燥单元的过程中,检测基板的处理液涂覆状态。
技术领域
下面实施例涉及一种基板检测装置及基板处理系统。
背景技术
在制造半导体元件时,需要包括研磨和抛光及清洗的CMP(化学机械研磨)作业。半导体元件形成为多层结构的形态,在基板层形成具有扩散区域的晶体管元件。在基板层,连接金属线被图案化,电连接于形成功能性元件的晶体管元件。如公知的一样,图案化的导电层用二氧化硅之类的绝缘材料与其他导电层绝缘。因为形成更多的金属层和与此相关的绝缘层,所以使得绝缘材料扁平的必要性增加。如果不能扁平化,在表面形态上出现很多变动,因此实质上更加难以制造追加的金属层。此外,金属线图案由绝缘材料形成,从而金属CMP作业去除过剩金属物。
CMP工艺包括通过研磨垫物理地使得基板表面磨损的过程。如果执行了通过研磨垫的磨损过程,则在基板的表面残留研磨液、研磨渣之类的副产物。为了去除残留在基板表面的副产物,执行将处理液喷射至基板表面的清洗过程。喷射至基板表面的处理液在自然干燥时产生留下痕迹的倾斜现象,因此执行通过超临界干燥工艺使得喷射了处理液的基板干燥的工艺。为了超临界工艺,需要在基板表面以设定的厚度涂覆处理液。但是,因为处理液在基板的表面持续蒸发,所以需要使得处理液的厚度在基板表面保持一定直到基板进入超临界工艺装置为止。
实用新型内容
一个实施例的目的在于,提供一种基板处理系统,在执行基板的干燥工艺的过程中,可以解决基板表面的处理液涂覆厚度不良。
一个实施例的目的在于,提供一种基板处理系统,对基板的处理工艺间表面的处理液厚度进行持续监控。
在根据一个实施例的对基板的处理液涂覆状态进行检测的基板检测装置中,基板检测装置配置在基板被移送的路径上,在基板移动的过程中,可以对基板的多个区域的处理液厚度依次进行检测。
作为一个侧面,基板检测装置可沿着与基板的移送方向垂直的路线划分多个区域,并且沿着基板的移送方向依次检测多个区域的处理液涂覆状态。
作为一个侧面,基板检测装置可包括第一检测部,其在从将处理液喷射到基板的处理液涂覆单元搬出基板的过程中,沿着基板的搬出方向,依次检测与基板的搬出方向垂直划分的基板的多个区域。
作为一个侧面,基板检测装置还可包括第二检测部,其在将基板搬入对涂覆有处理液的基板进行干燥的基板干燥单元的过程中,沿着基板的搬入方向,依次检测与基板的搬入方向垂直划分的基板的多个区域。
作为一个侧面,基板检测装置可包括:光源,其将光照射到基板移送路径上的特定位置;以及光传感器,其接收从基板反射过来的光,并从接收到的光中检测基板表面的处理液涂覆厚度。
作为一个侧面,基板检测装置还可包括控制部,其基于光传感器检测出的信息,分析基板多个区域各自的处理液涂覆厚度,并判断基板的处理液涂覆状态是否存在不良。
根据一个实施例的基板处理系统可包括:处理液涂覆单元,其将处理液涂覆到基板;基板干燥单元,其用于对涂覆有处理液的基板进行干燥;基板移动单元,其从处理液涂覆单元中搬出基板,并将基板搬入基板干燥单元;第一检测部,其在从处理液涂覆单元中搬出基板的过程中,检测基板的处理液涂覆状态;以及第二检测部,其在将基板搬入基板干燥单元的过程中,检测基板的处理液涂覆状态。
作为一个侧面,第一检测部及第二检测部可包括:光源,其朝向基板的被处理面照射光;以及光传感器,其检测从被处理面反射过来的反射光,并对涂覆于被处理面的处理液的厚度进行检测。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造