[实用新型]一种金属舟及管式原子层沉积镀膜设备有效
| 申请号: | 202022964859.8 | 申请日: | 2020-12-11 | 
| 公开(公告)号: | CN214458310U | 公开(公告)日: | 2021-10-22 | 
| 发明(设计)人: | 赵赞良;贾泰;周涛;张宏强;房海冬;王凯 | 申请(专利权)人: | 宁夏隆基乐叶科技有限公司 | 
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 | 
| 地址: | 750000 宁夏回族自治区*** | 国省代码: | 宁夏;64 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 金属 原子 沉积 镀膜 设备 | ||
本申请公开了一种金属舟及管式原子层沉积镀膜设备,所述金属舟包括框体,所述框体间隔设置有卡接件,所述卡接件包括相对设置的第一侧面和第二侧面;所述任意相邻的两个卡接件,所述一个卡接件的第一侧面与所述另一个卡接件的第二侧面形成卡槽;所述卡槽与硅片卡接配合,所述卡接件的第一侧面或第二侧面与所述硅片表面边缘形成气流通道。本申请通过卡接件的第一侧面或第二侧面与硅片被镀面边缘形成气流通道,减小了卡接件与硅片的接触面积,从而改善了硅片边缘的通风性。
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种金属舟及管式原子层沉积镀膜设备。
背景技术
管式原子层沉(ALD)积镀膜设备用于对硅片背面进行钝化膜的沉积,管式原子层沉(ALD)积镀膜设备具有用于提供镀膜环境的工艺腔,通过金属舟携带太阳能电池片进入工艺腔。金属舟设有卡槽,该卡槽与硅片卡接配合。
然而,现有的金属舟,较容易出现边缘发黑的问题。
实用新型内容
因此,本实用新型提供一种金属舟及管式原子层沉积镀膜设备,至少部分地解决上面提到的问题。
本实用新型提供了一种金属舟,所述金属舟包括:框体,所述框体间隔设置有卡接件,所述卡接件包括相对设置的第一侧面和第二侧面;
所述任意相邻的两个卡接件,所述一个卡接件的第一侧面与所述另一个卡接件的第二侧面形成卡槽;
所述卡槽与硅片卡接配合,所述卡接件的第一侧面或第二侧面与所述硅片表面边缘形成气流通道。
在一些可能的实现方式中,所述第一侧面或/和所述第二侧面与所述硅片表面边缘局部面接触。
在一些可能的实现方式中,所述一个卡接件自其第一侧面向所述另一个卡接件的第二侧面凸起形成第一配合部,所述第一配合部的端面为平面;
所述另一个卡接件自其第二侧面向所述一个卡接件的第一侧面凸起形成第二配合部,所述第二配合部的端面为平面。
在一些可能的实现方式中,所述第一配合部、第二配合部远离所述卡槽向所述硅片方向延伸的开口。
在一些可能的实现方式中,所述第一侧面或/和所述第二侧面与所述硅片表面边缘线接触。
在一些可能的实现方式中,所述框体自其表面向所述硅片方向延伸形成所述卡接件,所述卡接件的横截面沿其延伸方向逐渐减小。
在一些可能的实现方式中,所述卡接件的第一侧面和第二侧面为平面且形成夹角,所述夹角为锐角。
在一些可能的实现方式中,所述卡接件的第一侧面和第二侧面为弧形面。
在一些可能的实现方式中,所述卡接件沿所述硅片插入方向间隔设置缺口。
本实用新型还提供了一种管式原子层沉积镀膜设备,包括上述中的任一项所述的金属舟。
本申请通过卡接件的第一侧面或第二侧面与硅片被镀面边缘形成气流通道,减小了卡接件与硅片的接触面积,从而改善了硅片边缘的通风性,使得硅片背面钝化均匀性更好,避免硅片边缘钝化效果差导致的发黑和金属舟受潮后产生的金属舟卡槽印;卡接件沿硅片插入方向间隔设置缺口,降低了卡接件的加工成本,同时也进一步改善了流体通过硅片的边缘的通风性。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1是根据本申请的实施方式的一种金属舟的结构示意图;
图2是根据本申请的实施方式的第一架体和第二架体的连接示意图;
图3是根据本申请的实施方式的第一卡接件的一种结构示意图;
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





