[实用新型]微电子器件

说明书

本公开的实施例涉及微电子器件。一种器件包括位于衬底的相同第一部分的MOS晶体管和双极晶体管。第一部分包括形成MOS晶体管的沟道的呈现第一掺杂类型的第一阱和与第一类型相对的呈现第二掺杂类型的两个第一区域，该第一区域布置在构成MOS晶体管的源极和漏极的第一阱中。第一部分还包括：相对于第一阱横向布置以形成双极晶体管基极的呈现第二掺杂类型的第二阱；呈现第一掺杂类型的第二区域，该第二区域布置在第二阱中以形成双极晶体管的发射极；以及呈现第一掺杂类型的第三区域，该第三区域布置在第二阱下面，形成双极晶体管的集电极。

技术领域

本文本涉及包括至少一个MOS晶体管和一个双极晶体管的微电子器件。

背景技术

在微电子器件中，MOS晶体管和双极晶体管的组合是有用的，这是因为这两种类型的晶体管具有不同的特性，并且可以实现不同的功能。

因此，例如，双极晶体管可以用于形成“带隙”型电路，限定相对于温度变化非常稳定的参考电压。

然而，MOS晶体管和双极晶体管的不同结构通常涉及不同的制造步骤，特别是需要使用特定的掩模，这使得用于制造微电子器件的方法复杂化并且增加了方法的持续时间和成本。

本领域中存在对电路和制造方法的需要，以提供在相同基板上包括至少一个高电压MOS晶体管和至少一个双极晶体管的电路。

实用新型内容

本公开的目的是提供一种微电子器件，以至少部分地解决现有技术中存在的上述问题。

根据本公开的一方面，提供了一种微电子器件，包括：衬底；高电压MOS晶体管，在衬底的第一部分中和/或在衬底的第一部分上；以及双极晶体管，在衬底的相同第一部分中和/或在衬底的相同第一部分上；其中第一部分包括：第一阱，呈现第一掺杂类型，第一阱与衬底电绝缘并且被配置为形成高电压MOS晶体管的沟道；两个第一区域，呈现与第一掺杂类型相对的第二掺杂类型，两个第一区域被布置在第一阱中并且被配置为分别形成高电压MOS晶体管的源极和漏极；第二阱，呈现第二掺杂类型，第二阱相对于第一阱横向地布置以形成双极晶体管的基极；第二区域，呈现第一掺杂类型，第二区域被布置在第二阱中，以形成双极晶体管的发射极；以及第三区域，呈现第一掺杂类型，第三区域被布置在第二阱之下，并且第三区域与第二阱接触以形成双极晶体管的集电极。

根据一个或多个实施例，其中第一部分还包括：第四区域，呈现第二掺杂类型，第四区域相对于第二区域横向地布置在第二阱中，第四区域被配置为形成用于双极晶体管的基极的电接触插头；以及绝缘区域，在第二阱中，绝缘区域横向地将第四区域与第二区域分隔。

根据一个或多个实施例，其中绝缘区域是浅沟槽隔离，浅沟槽隔离具有的深度比第二区域的深度深，并且浅沟槽隔离具有的深度比第四区域的深度深。

根据一个或多个实施例，其中第一部分还包括：第三阱，呈现第一掺杂类型，第三阱被布置在第二阱的外围，并且第三阱与第三区域电接触；以及第五区域，呈现第一掺杂类型，第五区域被布置在第三阱中；其中第五区域和第三阱被配置为一起形成用于双极晶体管的集电极的电接触插头；以及另一绝缘区域，在第二阱中，另一绝缘区域横向地将第三阱以及第五区域与第四区域分隔。

根据一个或多个实施例，其中另一绝缘区域是浅沟槽隔离，浅沟槽隔离具有的深度比第五区域的深度深，并且浅沟槽隔离具有的深度比第四区域的深度深。

根据一个或多个实施例，器件还包括低电压MOS晶体管，在衬底的与第一部分不同的第二部分中。

根据一个或多个实施例，其中第二部分包括：第四阱，呈现第一掺杂类型，第四阱与衬底电绝缘并且被配置为形成低电压MOS晶体管的沟道；以及两个第六区域，呈现第二掺杂类型，两个第六区域被布置在第四阱中并且被配置为分别形成低电压MOS晶体管的源极和漏极；其中，第一部分的第一阱和第一部分的第二阱的掺杂比第二部分的第四阱的掺杂低。