[实用新型]一种硅片承载装置有效
申请号: | 202022812384.0 | 申请日: | 2020-11-27 |
公开(公告)号: | CN213401125U | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 彭一波 |
地址: | 242074 安徽省宣城市宣城经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 承载 装置 | ||
1.一种硅片承载装置,包括载板,所述载板上设有多个用于放置硅片的凹槽,其特征在于:所述凹槽的槽口边沿设置倒角结构;
还包括振动组件,用于向所述载板提供高频低振幅振动信号,以使所述硅片在振动作用下导入所述载板的凹槽中。
2.根据权利要求1所述的硅片承载装置,其特征在于:所述振动组件包括承载台和与所述承载台对应的振动电机,所述承载台用于放置所述载板;
所述承载台包括多块分离设置的支撑板;
所述振动电机的输出端与支撑板连接,所述振动电机提供所述高频低振幅振动信号,从而带动所述承载台振动,以带动所述载板振动。
3.根据权利要求2所述的硅片承载装置,其特征在于:所述高频低振幅振动信号为:振动频率范围为100-200Hz/s,振幅范围为0.3-1.5mm。
4.根据权利要求2所述的硅片承载装置,其特征在于:所述承载台还包括限位边,所述支撑板的外侧边均设有限位边,以限制所述载板在所述承载台上的位置。
5.根据权利要求2所述的硅片承载装置,其特征在于:还包括机架和输送平台,所述输送平台至少部分设置于所述机架的内部,且至少部分与所述机架的支撑框固定连接,所述载板能活动设置于所述输送平台的上方,所述输送平台能带动所述载板沿水平面方向运动。
6.根据权利要求5所述的硅片承载装置,其特征在于:所述输送平台包括多个相互平行且间隔设置的输送辊,所述输送辊的端部转动安装在所述机架上,所述机架上安装有驱动输送辊转动的驱动件,以驱动所述输送辊转动。
7.根据权利要求6所述的硅片承载装置,其特征在于:所述支撑板设置于相邻所述输送辊之间,所述支撑板下方设有升降组件,以驱动所述承载台升高至突出于所述输送辊的上方,或者降低至与所述输送辊的上端面相平。
8.根据权利要求7所述的硅片承载装置,其特征在于:所述升降组件包括竖直设置的气缸以及活塞杆,所述气缸安装在对应着所述支撑板的下方,所述活塞杆与支撑板固定连接,所述活塞杆的伸缩带动承载台升降。
9.根据权利要求8所述的硅片承载装置,其特征在于:所述气缸背离所述活塞杆的一端设置有缓冲组件,所述缓冲组件包括橡胶弹簧。
10.根据权利要求1-9任一项所述的硅片承载装置,其特征在于:所述凹槽的槽口边沿设置为圆弧形倒角结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造