[实用新型]一种匀流炉管及特气炉

说明书

本实用新型实施例涉及光伏设备技术领域，公开了一种匀流炉管及特气炉。本实用新型中，匀流炉管包括炉管内腔，所述炉管内腔包括第一端，所述第一端处设有用于向所述炉管内腔输入电子特气的进气口，其特征在于，所述第一端还设有第一旋转轴，所述第一旋转轴上设有若干可旋转的扇叶，所述进气口位于所述扇叶的迎风侧。通过在进气口处设置扇叶，使得电子特气在输入炉管内腔后，通过扇叶的旋转搅拌、导流，在进气口处就实现了均匀混合的目的，并送入炉管内腔，同时能够改变电子特气流速，在较短时间内就能使电子特气在炉管内腔内充分扩散均匀，且有助于电子特气均匀升温。

技术领域

本实用新型实施例涉及光伏设备技术领域，特别涉及一种匀流炉管及特气炉。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。

电池片在生产过程中，需要在硅片的表面镀上一层减反射膜。目前，采用等离子体增强化学气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)，使电子特气(如氮化硅气体)在硅电池片表面发生化学反应并形成覆盖层，即减反射膜。此减反射膜的主要作用是：降低反射率、良好的体钝化和表面钝化，以及利用氮化硅薄膜的强致密性和耐多数酸碱性，在硅片表面形成保护层。电池片的PECVD工序一般通过PECVD机完成，PECVD机在炉管的两端通微波源，表面抽真空的条件下将氨气和硅烷分解成高能离子状态，经过一系列化学反应转变成氮化硅气体，在硅片表面沉积氮化硅固态薄膜，同时分解出来的氢离子，将硅片表面原有缺陷钝化。

目前沉积氮化硅固态薄膜的设备主要有两种，板式PECVD设备和管式PECVD特气炉。其中，管式PECVD特气炉的炉管内设置有石墨舟，石墨舟包括用于承载硅片的若干石墨舟片，硅片处于封闭的炉管中，与板式PECVD设备镀膜相比，硅片不需要流动前进镀膜，可以在表面有更好的钝化作用，电池效率更高，同时，管式PECVD特气炉主要对石墨舟进行维护，维护简单，对生产的影响更小。但是，现有的管式PECVD特气炉的炉管在氮化硅气体从进气口进入后，需要一定时间才能在炉管内充分扩散均匀，而实际工艺过程中，还要求气体浓度随时间变化以便生产出不同折射率的减反射膜层。为了控制总工艺时间，确保量产的需要，实际生成过程中并不能等硅烷和氨气在炉管内充分扩散均匀后再开始沉积，导致炉管内均匀性不高。此外，炉管内的气压是通过炉尾的排气口控制的，排气也会影响气体在管内的均匀性。硅烷和氨气的不均匀分布导致管式PECVD特气炉的成膜均匀性较差，从而导致管式PECVD特气炉处理的硅片有较高的返工率，现有对此问题的改进方案是，通过在进气口处设置以匀流板，该匀气板上设有匀流气孔，匀流板上还设有与云流气孔相对应的轨道槽，在轨道槽上设有用于调节匀流气孔开孔大小的移动小挡板，该方案实质是将硅烷和氨气分为均匀密集的若干份，再输入至炉管内部，但是其不同匀流气孔输入的烷和氨气还是需要在炉管内混合后才能实现炉管内气体的均匀，匀流效果差。

实用新型内容

本实用新型实施方式的目的在于提供一种匀流炉管及特气炉，解决了现有技术中电子特气从进气口进入后，需要一定时间才能在炉管内充分扩散均匀，导致硅片的返工率高的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种匀流炉管，包括炉管内腔，所述炉管内腔包括第一端，所述第一端处设有用于向所述炉管内腔输入电子特气的进气口，所述第一端还设有旋转轴，所述旋转轴上设有若干可旋转的扇叶，所述进气口位于所述扇叶的迎风侧。

本实用新型实施方式相对于现有技术而言，通过在进气口处设置扇叶，使得电子特气在输入炉管内腔后，通过扇叶的旋转搅拌、导流，在进气口处就实现了均匀混合的目的，并送入炉管内腔，同时能够改变电子特气流速，在较短时间内就能使电子特气在炉管内腔内充分扩散均匀，且有助于电子特气均匀升温。