[实用新型]微型发光二极管阵列

说明书

本实用新型提供了一种微型发光二极管阵列。所述方法包括：支撑衬底；图形化绝缘层，所述图形化绝缘层设置于支撑衬底表面且具有镂空部，所述镂空部的侧壁覆盖光反射层；发光二极管的发光结构，所述发光结构设置在所述镂空部中，并再设置有第一电极和第二电极；以及驱动电路基板，键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。

技术领域

本实用新型涉及半导体显示和照明领域，尤其涉及一种微型发光二极管阵列。

背景技术

随着科技的发展进步，对下一代照明和显示技术提出了更高要求。微型发光二极管(Micro-LED)由于其微米级尺寸且具有自发光、相应速度快、功耗低等特点，因而通过将红、绿、蓝三色Micro-LED集成于TFT或CMOS基板上作为显示像素点而实现自发光全彩显示的技术路线被誉为下一代新型全彩显示的核心技术，具有广阔的市场应用前景。然而，目前Micro-LED全彩显示仍存在诸多挑战：1)随着芯片尺寸的微小化，表面非辐射复合的影响占比增加，从而使得芯片的发光效率随着芯片尺寸的缩小而降低。因而如何避免或减小芯片制备过程中由于刻蚀而导致的侧壁损伤变得尤为重要。2)高分辨率显示中微小的芯片间距导致芯片之间的光串扰亟待解决。3)由于红光Micro-LED与蓝、绿光Micro-LED的驱动电压不一致而导致的驱动电路复杂以及全彩显示需要三次巨量转移而导致成本高等问题。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种微型发光二极管阵列。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种微型发光二极管阵列，包括：支撑衬底；图形化绝缘层，所述图形化绝缘层设置于支撑衬底表面且具有镂空部，所述镂空部的侧壁覆盖光反射层；发光二极管的发光结构，所述发光结构设置在所述镂空部中，并再设置有第一电极和第二电极；以及驱动电路基板，键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。

上述技术方案：1)避免了常规芯片制成过程中所需要的刻蚀步骤，因而避免了在刻蚀过程中产生的芯片侧壁损伤，减少了芯片侧壁的非辐射复合中心，从而避免了芯片侧壁的非辐射复合，提高芯片的发光效率。2)阵列芯片之间的掩膜层/高光反射层同时起到了阻止相邻芯片侧壁发光而导致的光串扰问题。3)可直接与TFT，CMOS，玻璃等基板键合实现单色显示，避免采用常规芯片所需的巨量转移，降低成本。4)蓝光阵列芯片亦可与红，绿色量子点相结合实现全彩显示，避免多次巨量转移，以及由于红光Micro-LED与蓝、绿光Micro-LED的驱动电压不一致而导致的驱动电路复杂问题，降低成本。

附图说明

附图1所示是制作本实用新型一具体实施方式所述结构的步骤示意图。

附图2A至附图2I所示是上述具体实施方式所述工艺示意图。

附图3A至附图3C所示是附图1步骤中步骤S12的工艺示意图。

附图4所示是制作本实用新型一具体实施方式所述结构的步骤示意图。

附图5A至附图5D所示是上述具体实施方式所述工艺示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的微型发光二极管阵列的具体实施方式做详细说明。