[实用新型]微型发光二极管阵列

权利要求书

1.一种微型发光二极管阵列，其特征在于，包括：

支撑衬底；

图形化绝缘层，所述图形化绝缘层设置于支撑衬底表面且具有镂空部，所述镂空部的侧壁覆盖光反射层；

发光二极管的发光结构，所述发光结构设置在所述镂空部中，并再设置有第一电极和第二电极；以及

驱动电路基板，键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一和/或第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，所述支撑衬底包括支撑层和表面的外延层，支撑层选自于蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、以及氮化铝中的任一种，表面的外延层选自于GaN/InGaN、以及AlN/GaN/InGaN中的任意一种；或支撑层选自于GaAs、GaP、以及InP中的任意一种，外延层选自于AlGaAs、AlInP或其任意组合；或支撑层选自于蓝宝石、碳化硅、硅、氮化镓、以及氮化铝的任意一种，外延层选自于GaN、AlN、AlGaN或其任意组合；其中外延层通过金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或其组合形成。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，所述图形化绝缘层的材料选自于SiO_x、SiN_x、以及TiO_x中的任意一种，并采用原子层沉积、PECVD、磁控溅射或结合方式形成。

4.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，所述光反射层材料由两种不同折射率的绝缘材料交替叠层组成，选自于二氧化铪/二氧化硅交替叠层、二氧化硅/氧化钽交替叠层、五氧化铌(Nb₂O₅)和二氧化硅交替叠层、二氧化锆和二氧化硅交替叠层、以及二氧化硅/二氧化钛交替叠层中的任意一种或多种的组合，并采用原子层沉积、PECVD、电子束蒸镀、磁控溅射中的任意一种或多种的组合工艺形成。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，光反射层由覆盖绝缘材料的具有反光特性的金属层组成。

6.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，在发光结构的相对两表面分别设置第一电极和第二电极，所述驱动电路基板键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。

7.根据权利要求1所述的微型发光二极管阵列，其特征在于，在发光结构的同侧表面设置第一电极和第二电极，所述驱动电路基板键合设置于所述发光二极管的发光结构的第一和第二电极表面，所述发光二极管的发光结构的第一和第二电极与驱动电路基板表面对应的电极对准。