[实用新型]硅片刻蚀承载结构、硅片刻蚀装置、DOSD测试设备

说明书

本实用新型涉及一种硅片刻蚀承载结构，包括一端开口的盒体结构，以及能够封堵所述开口的盖体，所述盒体结构的底部具有镂空区域以使得容纳于所述盒体结构内的硅片的待刻蚀区外露。通过硅片刻蚀承载结构的设置，可以将待刻蚀硅片至于密封的盒体结构内，仅将待刻蚀区外露以与刻蚀液接触进行刻蚀，而刻蚀过程中、直至硅片刻蚀完成被取出刻蚀槽的整个过程中，避免硅片待刻蚀区之外的区域与外界接触，避免硅片除了待刻蚀区之外的区域的损伤，提高了后续的测试的精确性。本实用新型还涉及一种硅片刻蚀装置和一种DOSD测试设备。

技术领域

本实用新型涉及液晶产品制作技术领域，尤其涉及一种硅片刻蚀承载结构、硅片刻蚀装置、DOSD测试设备。

背景技术

为了制造半导体，必须制造晶片，将预定的离子注入到晶片中，并形成电路图案。此时，生产晶片的是第一生长单晶硅锭的形式中，直拉法（丘克拉斯基，CZ）可以被用于该目的的方法或浮区（浮区，FZ）方法。切克劳斯基法是单晶硅的晶种（籽晶），通过将所述石英坩埚的硅加热到超过1420℃，使其熔化之后，在形成颈缩的同时通过以预定速度旋转、向上拉来生长硅单晶。对这样制造的单晶硅锭切片进行处理，例如研磨，蚀刻，清洗和抛光以完成生产硅晶片，并进行样品晶片的检查。

其中DSOD（直接表面氧化物缺陷）是一种评估方法。DSOD的检测方法具体的操作为：对已清洗好的硅片进行热氧化使其生长一层特定厚度的氧化膜；对硅片背面的氧化膜进行刻蚀，能达到导电的目的即可；清洗刻蚀后的硅片；用清洗和干燥好的硅片进行铜沉积；最后进行计数。DSOD检测方法的检测的结果的准确性对硅片性能的评价有着很重要的意义。

相关技术中的刻蚀腔室剥离过程完成后，有HF气体的会损伤硅片正面的氧化膜（氧化物），由于在晶片卸载排气口狭缝会向上泄漏HF气体，对晶圆正面产生损伤。也就是说，会产生误差DSOD（Flase DSOD（FD）），通过HF气体的流动在硅片上产生的DSOD图形，可能也会形成团状的HF刻蚀的损伤。

由于误差DSOD的产生，这种DSOD计数不能采用，因为进行计数时有的误差DSOD被评估和计数计算在内，导致硅片的损失（损耗），需要重新采样品。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种硅片刻蚀承载结构、硅片刻蚀装置、DOSD测试设备，解决在刻蚀时会损伤硅片正面而带来测试误差的问题。

为了达到上述目的，本实用新型实施例采用的技术方案是：一种硅片刻蚀承载结构，包括一端开口的盒体结构，以及能够封堵所述开口的盖体，所述盒体结构的底部具有镂空区域以使得容纳于所述盒体结构内的硅片的待刻蚀区外露。

可选的，所述盒体结构的底部包括第一区域，所述第一区域上设置有多个通孔，所述通孔通过管道与抽真空设备连接。

可选的，所述镂空区域位于所述盒体结构的底部的中心区域，所述第一区域位于所述盒体结构的底部的所述中心区域的外围。

可选的，所述盒体结构的外侧壁上沿其周向设置有多个支撑柱。

可选的，所述盒体结构为圆柱体，多个所述支撑柱包括第一支撑柱、第二支撑柱、第三支撑柱，所述第一支撑柱和第二支撑柱的连线经过所述盒体结构的底部的圆心，所述第三支撑柱与所述盒体结构的底部的中心的连线与所述第一支撑柱和所述第二支撑柱之间的连线相垂直。

可选的，所述盒体结构的开口端的端面的内侧下凹形成台阶结构，所述盖体为与所述台阶结构相配合以封堵所述盒体结构的凸字形结构。

本实用新型实施例提供一种硅片刻蚀装置，包括用于容纳刻蚀液的刻蚀槽，以及上述的硅片刻蚀承载结构，在刻蚀时，部分所述盒体结构能够浸没于刻蚀液内，以使得承载于所述硅片刻蚀承载结构内的硅片的待刻蚀区与刻蚀液接触。

本实用新型实施例还提供一种DOSD测试设备，包括上述的硅片刻蚀装置。