[实用新型]硅片刻蚀承载结构、硅片刻蚀装置、DOSD测试设备

权利要求书

1.一种硅片刻蚀承载结构，其特征在于，包括一端开口的盒体结构，以及能够封堵所述开口的盖体，所述盒体结构的底部具有镂空区域以使得容纳于所述盒体结构内的硅片的待刻蚀区外露。

2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀承载结构，其特征在于，所述盒体结构的底部包括第一区域，所述第一区域上设置有多个通孔，所述通孔通过管道与抽真空设备连接。

3.根据权利要求2所述的硅片刻蚀承载结构，其特征在于，所述镂空区域位于所述盒体结构的底部的中心区域，所述第一区域位于所述盒体结构的底部的所述中心区域的外围。

4.根据权利要求1所述的硅片刻蚀承载结构，其特征在于，所述盒体结构的外侧壁上沿其周向设置有多个支撑柱。

5.根据权利要求4所述的硅片刻蚀承载结构，其特征在于，所述盒体结构为圆柱体，多个所述支撑柱包括第一支撑柱、第二支撑柱、第三支撑柱，所述第一支撑柱和第二支撑柱的连线经过所述盒体结构的底部的圆心，所述第三支撑柱与所述盒体结构的底部的中心的连线与所述第一支撑柱和所述第二支撑柱之间的连线相垂直。

6.根据权利要求1所述的硅片刻蚀承载结构，其特征在于，所述盒体结构的开口端的端面的内侧下凹形成台阶结构，所述盖体为与所述台阶结构相配合以封堵所述盒体结构的凸字形结构。

7.一种硅片刻蚀装置，其特征在于，包括用于容纳刻蚀液的刻蚀槽，以及权利要求1-6任一项所述的硅片刻蚀承载结构，在刻蚀时，部分所述盒体结构能够浸没于刻蚀液内，以使得承载于所述硅片刻蚀承载结构内的硅片的待刻蚀区与刻蚀液接触。

8.一种DOSD测试设备，其特征在于，包括权利要求7所述的硅片刻蚀装置。