[实用新型]一种碳化硅晶体生长的温度控制装置

权利要求书

1.一种碳化硅晶体生长的温度控制装置，其特征在于：包括控制器、外壳、设置在外壳内的加热器和石墨坩埚，

所述控制器连接加热器，加热器设置在石墨坩埚的外周；所述石墨坩埚包括坩埚本体和盖体，盖体内侧设有籽晶托；而在坩埚本体内则用于设置碳化硅生长源；

所述盖体上端设有一石墨体，该石墨体下端与籽晶托连接，上端则连接半导体散热体；半导体散热体连接直流电源和控制器；所述石墨体上设有两个测温点，半导体散热体上设有两个测温点，各测温点连接控制器。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的温度控制装置，其特征在于：所述石墨坩埚外周设置有隔热屏，该隔热屏设置在加热器和石墨坩埚之间。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的温度控制装置，其特征在于：所述石墨体外周套设一氧化铝管或氧化锆管，而在氧化铝管或氧化锆管外还设有隔热屏。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长的温度控制装置，其特征在于：所述石墨体上的两个测温点分别设置在石墨柱的轴向中间位置，以及该轴向中间位置与半导体散热体与石墨体的接触面之间的中点位置；所述半导体散热体上的两个测温点分别设置在半导体散热体的上端面和下端面。