[实用新型]一种具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件

权利要求书

1.一种具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件，其特征在于，包括：半导体衬底(1)，在半导体衬底(1)上的N型重掺杂区(3)和P型阱区(2)，该N型重掺杂区(3)设置在P型阱区(2)中间，在P型阱区(2)一侧的靠近栅结构区的N型轻掺杂区(4)，在N型轻掺杂区(4)上的N型重掺杂源区(6)，在远离栅结构区的N型重掺杂源区(6)一侧相邻接的P型重掺杂源区(5)，在P型阱区(2)另一侧的靠近栅结构区的N型轻掺杂漂移区(7)，在N型轻掺杂漂移区(7)上的N型重掺杂缓冲区(8)，在远离栅结构区的N型重掺杂缓冲区(8)一侧的P型重掺杂漏区(9)，在P型阱区(2)中间的栅结构区(10、11、12、13)，该栅结构区(10、11、12、13)贯穿P型阱区(2)并延伸至N型重掺杂区(3)，且包含两个分裂栅(10)、一个屏蔽栅(12)、分裂栅区的绝缘介质(11)和屏蔽栅区的绝缘介质(13)，其中分裂栅(10)采用多晶硅材料、屏蔽栅(12)采用导电材料、分裂栅区的绝缘介质(11)采用高K绝缘材料和屏蔽栅区的绝缘介质(13)采用硅氧化物，N型/P型重掺杂源区引出源极，分裂栅(10)引出栅极，N型/P型重掺杂漏区引出漏极。

2.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件，其特征在于，P型重掺杂漏区(9)的面积比N型重掺杂缓冲区(8)的面积小。

3.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件，其特征在于，N型轻掺杂漂移区(7)的面积比N型重掺杂缓冲区(8)的面积大。

4.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件，其特征在于，在半导体衬底(1)上的N型重掺杂区(3)的面积比P型阱区(2)的面积小。

5.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件，其特征在于，P型重掺杂源区(5)的面积比P型重掺杂漏区(9)的面积小。

6.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件，其特征在于，所述高K绝缘材料是一种单质或者化合物或者几种相关薄膜叠加组成的材料。

7.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件，其特征在于，所述源极、栅极和漏极的金属电极采用金属铜材料或者铝材料。

8.根据权利要求1所述的具有超结结构的槽型分裂栅MOS半导体功率器件，其特征在于，半导体衬底材料为半导体SiC基或者GaN基材料。