[实用新型]一种激光晶圆切割后清洗吹干装置有效

专利信息
申请号: 202021861107.2 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN212570942U 公开(公告)日: 2021-02-19
发明(设计)人: 巩铁建;陶为银 申请(专利权)人: 河南通用智能装备有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;B23K26/70;B23K26/16;B23K26/38;B23K26/402
代理公司: 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人: 范小方
地址: 450001 河南省郑州市高新技术产业*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光 切割 清洗 吹干 装置
【说明书】:

实用新型公开了一种激光晶圆切割后清洗吹干装置,包括箱体、控制器和电机,所述箱体上部设置有进料口,残渣抽屉左侧设置有抽屉把手,且抽屉把手下端设置有进水口,进水口设置在水箱左端,水箱左端上部设置有上水管,水泵下端设置分水管,分水管左端通过水管连接有第一冲洗器,分水管右端通过水管连接有第二冲洗器,且第二冲洗器下端设置第二冲洗喷头,箱体下端设置有支架,该激光晶圆切割后清洗吹干装置,结构设置合理,在进料口下端设置过滤板,过滤板上端设置第一冲洗器和第二冲洗器,过滤板下端设置残渣抽屉,水箱上设置上水管并配备水泵,可以实现循环利用,在吹风口下端设置运输带,使得机器自动化。

技术领域

本实用新型涉及晶圆体加工技术领域,具体为一种激光晶圆切割后清洗吹干装置。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。

在现有技术中,利用激光切割晶圆的时候容易产生残渣,需要进行清洗,而现有的激光晶圆切割后清洗装置,只会配置清洗装置,不能吹干,不易保存,晶圆体容易受潮。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于克服现有的激光晶圆切割后清洗装置,只会配置清洗装置,不能吹干,不易保存,晶圆体容易受潮的缺陷。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种激光晶圆切割后清洗吹干装置,包括箱体、控制器和电机,所述箱体上部设置有进料口,且进料口下端设置有过滤板,过滤板下端设置有残渣抽屉,且残渣抽屉内部安装有抽屉过滤网,残渣抽屉左侧设置有抽屉把手,且抽屉把手下端设置有进水口,进水口设置在水箱左端,水箱左端上部设置有上水管,且上水管连接在水泵上,水泵下端设置分水管,分水管左端通过水管连接有第一冲洗器,且第一冲洗器下端设置第一冲洗喷头,分水管右端通过水管连接有第二冲洗器,且第二冲洗器下端设置第二冲洗喷头,箱体下端设置有支架。

优选的,所述第一冲洗器右侧设置有第一清洗刷,第二冲洗器右端设置有第二清洗刷,第一清洗刷和第二清洗刷下端安装有刷头,并且刷头上端设置可拆卸结构。

优选的,所述箱体上端右侧设置有吹水机,且吹水机下端设置有吹水管道,吹水管道下端设置有吹水口,吹水机右侧设置有吹水机散热窗。

优选的,所述控制器设置在箱体右侧上端,且控制器电性连接水泵和电机,控制器下端设置有出料口,且出料口下端设置有出料辅助板。

优选的,所述电机通过轴杆连接运输辊,且运输辊上安装有皮带,且皮带上端安装有运输带,运输带为耐热橡胶材质。

优选的,所述过滤板为不锈钢材质的蜂窝结构,厚度为5cm,蜂窝结构小孔的半径为3cm,并且过滤板中间设置Z形转折块,Z形转折块为不锈钢材质实心结构。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该激光晶圆切割后清洗吹干装置,结构设置合理,在进料口下端设置过滤板,过滤板上端设置第一冲洗器和第二冲洗器,过滤板下端设置残渣抽屉,水箱上设置上水管并配备水泵,可以实现循环利用,在吹风口下端设置运输带,使得机器自动化。

附图说明

图1为本实用新型结构侧视示意图;

图2为本实用新型结构正视示意图;

图3为本实用新型结构过滤板示意图;

图4为本实用新型结构残渣抽屉示意图。

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