[实用新型]一种晶圆表面清洁装置有效

申请号：	202021797997.5	申请日：	2020-08-25
公开（公告）号：	CN213459652U	公开（公告）日：	2021-06-15
发明（设计）人：	王念	申请（专利权）人：	武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/02
代理公司：	上海申新律师事务所 31272	代理人：	俞涤炯
地址：	430205 湖北***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	一种表面清洁装置
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【说明书】：

本实用新型公开一种晶圆表面清洁装置，包括：一卡盘，一吸盘，一真空发生装置和一喷嘴，真空发生装置通过管道与吸盘连接，喷嘴连接一外部压力水源，有益效果在于：能够有效增加晶圆表面的清洁度，减少空洞缺陷的形成，提高产品的良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆表面清洁装置。

背景技术

在集成电路制造工艺中，三维集成是一种在保持现有技术节点的同时提高芯片性能的技术手段。通过将两个或多个功能相同或不同的芯片进行三维集成可以提高芯片的性能，同时也可以大幅度缩短功能芯片之间的金属互联，减小发热、功耗和延迟。在三维集成工艺中，晶圆与晶圆的键合工艺是核心重点，其中晶圆表面的洁净程度直接影响晶圆键合的质量，从而影响产品整体的良率。

现有的三维集成工艺中，晶圆键合空洞缺陷经常发生在晶圆的正表面，晶圆在键合工艺前的制程中会携带粒子，在等离子室进行处理时，晶圆的表面也会产生粒子，又或者在前开式晶圆传送盒(FOUP)中的粒子会掉落在晶圆的表面，这些粒子会在晶圆键合面中形成空洞，该类空洞称为有核空洞，以背照式CMOS影像传感器为例，晶圆键合空洞缺陷会持续在后续制程中产生颗粒缺陷，影响产品光学性能，最终影响产品良率。

发明内容

根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种晶圆表面清洁装置，该装置能够有效增加晶圆表面的清洁度，减少空洞缺陷的形成，提高产品的良率。

上述技术方案具体包括：

一种晶圆表面清洁装置，其中包括：一卡盘，一吸盘，一真空发生装置和一喷嘴，所述真空发生装置通过管道与所述吸盘连接，所述喷嘴连接一外部压力水源。

优选地，其中，所述吸盘进一步包括：

一真空吸嘴，所述真空吸嘴朝向所述卡盘的一端呈长条形结构；

一静电棒，安装于所述长条形结构中；

优选地，其中，所述静电棒以可围绕轴向旋转的方式安装于所述真空吸嘴中。

优选地，其中，所述真空发生装置包括一第一真空泵和一第二真空泵，所述第一真空泵所能提供的真空度小于所述第二真空泵所能提供的真空度。

优选地，其中，所述第一真空泵为干泵。

优选地，其中，所述第二真空泵为分子泵。

优选地，其中，所述卡盘用于承载晶圆，所述卡盘可以带动所述晶圆围绕所述晶圆的圆心旋转。