[实用新型]一种量子点发光二极管的封装结构

说明书

本实用新型提供了一种量子点发光二极管的封装结构。该量子点发光二极管的封装结构包括：基板；基板上依次形成阳极金属层、空穴传输层、量子点层、电子传输层和阴极金属层；在阴极金属层上形成隔离层；封装层设置于该基板以及该隔离层上。本实用新型实施例提供的技术方案，在阴极金属层上形成隔离层，以保护量子发光二极管的阴极金属层，隔绝阴极金属层与封装材料中的成分接触发生化学方应，该量子点封装结构整体结构简单，生产成本低，可以得到发光均匀、工作寿命长的量子点发光二极管。

技术领域

本申请涉及量子点发光二极管技术领域，具体而言，涉及一种量子点发光二极管的封装结构。

背景技术

随着科技的发展，量子点发光技术已成为自发光技术的主流，量子点发光二极管器件(Quantum Dot Light Emitting Diodes,QLED)作为新一代的显示技术受到高度的研发投入。通常量子点发光二极管由基板、阳极金属层、空穴传输层、量子点层、电子传输层以及阴极金属层构成；量子点发光二极管的结构和工作原理与有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diodes,OLED)技术非常相似，主要区别在于量子点发光二极管的发光中心由量子点物质构成，其结构是电子层与空穴层在量子点层中汇聚后形成光子，并且通过光子的重组发光，代替有机材料层作为发光层。有机发光二极管在稳定性和色彩表现发面具有限制，而量子点发光二极管具有优异的色彩饱和度，并且电流效率与发光二极管不相上下，尤其是近年来量子点发光二极管发展迅速，其各项光电性能指标已接近或超越有机发光二极管显示技术，因此量子点发光二极管已成为当今有机发光二极管最有力的竞争者。

虽然量子点发光二极管已成为当今的主流趋势，但现阶段的量子点发光二极管技术仍然存在许多待解决的技术难题，特别是量子点发光二极管产品的发光不均匀问题，在很大程度上制约着量子点发光二极管产品的进一步应用。由于金属铝作为量子点发光二极管产品的阴极层的一种材料，在与封装材料胶合的过程中，会与封装材料胶中的酸性物质产生化学方应，导致阴极电极表面凹凸不平，凹处电流密度较大，凸处电流密度小，从而导致量子点发光二极管发光不均匀，目前还没有很好的封装结构对此问题进行解决。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种量子点发光二极管的封装结构，用于解决阴极金属层在与封装材料胶合的过程中发生化学反应，导致阴极电极表面凹凸不平，凹处电流密度较大，凸处电流密度小，从而导致量子点发光二极管发光不均匀的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种量子点发光二极管的封装结构，包括基板，基板上依次形成阳极金属层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、阴极传输层、隔离层以及封装层；其中隔离层设置于所述阴极金属层上表面；封装层设置于所述基板以及所述隔离层上，以用于将所述阳极金属层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、阴极金属层以及所述隔离层封装在内。

作为本实用新型进一步的方案：所述阴极金属层为铝金属层。

作为本实用新型进一步的方案：所述隔离层为惰性金属层。

作为本实用新型进一步的方案：所述隔离层为氧化物薄膜层。

作为本实用新型进一步的方案：所述隔离层为硫化物沉积层、氮化物沉积层或碳化物沉积层。

作为本实用新型进一步的方案：所述隔离层为高分子抗氧化物层，其可以直接在阴极金属层铝表面涂覆。

作为本实用新型进一步的方案：所述阴极金属层包括与所述量子点层相对的第一区域层以及位于所述第一区域层周围的第二区域层；所述隔离层包括第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层覆盖于所述第一区域层，所述第二金属层覆盖于所述第二区域层，且所述第一金属层与所述第二金属层连接，第一金属层的活性小于第二金属层的活性。

作为本实用新型进一步的方案：所述阴极金属层包括与所述量子点层相对的第一区域层以及位于所述第一区域层周围的第二区域层；所述第二区域层设置有凸点阵列。