[实用新型]一种量子点发光二极管的封装结构有效
| 申请号： | 202021730682.9 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN212485364U | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 完亮亮;管子豪;龙能文 | 申请（专利权）人： | 合肥福纳科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 衡滔 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市新站*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发光二极管 封装 结构 | ||
1.一种量子点发光二极管的封装结构，其特征在于，包括：
基板，基板上依次形成阳极金属层、空穴传输层、量子点层、电子传输层以及阴极金属层；
隔离层，其设置于所述阴极金属层上表面；
封装层，其设置于所述基板以及所述隔离层上，以用于将所述阳极金属层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、阴极金属层以及所述隔离层封装在内。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的封装结构，其特征在于，所述阴极金属层为铝金属层。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的封装结构，其特征在于，所述隔离层为惰性金属层。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的封装结构，其特征在于，所述隔离层为氧化物薄膜层。
5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的封装结构，其特征在于，所述隔离层为硫化物沉积层、氮化物沉积层或碳化物沉积层。
6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的封装结构，其特征在于，所述隔离层为高分子抗氧化物层。
7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的封装结构，其特征在于，所述阴极金属层包括与所述量子点层相对的第一区域层以及位于所述第一区域周围的第二区域层；
所述隔离层包括第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层覆盖于所述第一区域层，所述第二金属层覆盖于所述第二区域层，且所述第一金属层与所述第二金属层连接，第一金属层的活性小于第二金属层的活性。
8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管的封装结构，其特征在于，所述阴极金属层包括与所述量子点层相对的第一区域层以及位于所述第一区域周围的第二区域层；所述第二区域层设置有凸点阵列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
