[实用新型]存储器有效
申请号: | 202021160637.4 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN212136451U | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 平尔萱;王晓光;吴保磊;吴玉雷 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;G11C11/02 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 | ||
1.一种存储器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底内具有呈阵列排布的多个有源区和多条沿第一方向延伸的字线,所述有源区相对于所述字线倾斜预设角度,所述有源区内具有至少一存取晶体管;
多条位线,沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸;
磁性隧道结,一端电连接一条所述位线、另一端同时电连接两个所述存取晶体管,与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于相邻两个所述有源区内。
2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,还包括:
导电接触垫,位于所述衬底上方,所述导电接触垫的一端电连接所述磁性隧道结、另一端同时电连接两个所述存取晶体管的源极。
3.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于沿所述第二方向排列且相邻的两个所述有源区内;或者,
与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于沿第三方向排列且相邻的两个所述有源区内,所述第三方向相对于所述第一方向倾斜所述预设角度。
4.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,每一所述有源区内具有分布于所述有源区相对两端的两个所述存取晶体管;
与一个所述磁性隧道结电连接的两个所述存取晶体管分别位于两个相邻的所述有源区相互靠近的端部。
5.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,一个所述有源区与两条相邻的所述字线交叠;
位于同一所述有源区内的两个所述存取晶体管分别与两条所述字线对应。
6.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,还包括:
源极线,沿所述第一方向延伸,且一个所述有源区与一条所述源极线交叠;位于同一所述有源区内的两个所述存取晶体管的漏极均与同一条所述源极线电连接。
7.根据权利要求6所述的存储器,其特征在于,所述源极线呈弯曲状,且所述源极线在拐角处与所述有源区内的所述存取晶体管电连接。
8.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述预设角度大于30°且小于90°。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的