[实用新型]一种太阳能硅片表面蚀刻装置有效
申请号: | 202021092940.5 | 申请日: | 2020-06-13 |
公开(公告)号: | CN211980582U | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 江水德 | 申请(专利权)人: | 衢州三盛电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L31/18 |
代理公司: | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人: | 张铁兰 |
地址: | 324000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 硅片 表面 蚀刻 装置 | ||
1.一种太阳能硅片表面蚀刻装置,包括底座(1),其特征在于:所述底座(1)顶部的左右两侧均固定连接有挡板(2),两个所述挡板(2)之间固定连接有蚀刻容器(3),两个所述挡板(2)的顶部固定连接有顶板(4),所述顶板(4)的顶部固定安装有控制箱(5),所述控制箱(5)的内部固定安装有电动推杆(6),所述电动推杆(6)的输出轴上固定连接有调节台(7),所述调节台(7)的内部固定安装有双轴电机(8),所述双轴电机(8)左右两侧的输出端均固定连接有螺纹丝杠(9),所述调节台(7)的左右两侧内壁上均固定连接有限位轴承(10),两个所述螺纹丝杠(9)的外部均螺纹连接有调节块(11),所述调节台(7)的底部固定连接有隔离板(12),两个所述调节块(11)的底部均固定连接有夹持台(13),两个所述夹持台(13)的底部均固定连接有夹持架(14),两个所述夹持架(14)的外部均固定连接有橡胶片(15)。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片表面蚀刻装置,其特征在于:所述蚀刻容器(3)为外形呈长方体的内中空容器,其内壁上均匀覆盖有防腐层,且蚀刻容器(3)的内部填充有蚀刻液。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片表面蚀刻装置,其特征在于:所述控制箱(5)的左侧固定连接有插座,所述调节台(7)为外形呈长方体的中空台体,且该调节台(7)的底部固定连接有横板。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能硅片表面蚀刻装置,其特征在于:两个所述螺纹丝杠(9)远离双轴电机(8)的另一端均延伸至两个限位轴承(10)内侧并与其内环固定连接。
5.根据权利要求3所述的一种太阳能硅片表面蚀刻装置,其特征在于:两个所述螺纹丝杠(9)上的螺纹呈相反状,所述调节台(7)的底壁与其底部的横板内侧均开设有相互连通的横向调节槽。
6.根据权利要求5所述的一种太阳能硅片表面蚀刻装置,其特征在于:所述隔离板(12)的顶部与横板的底部固定连接,且隔离板(12)的内部开设有直径与横向调节槽相等的滑槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造