[实用新型]一种改善电阻高频噪声的调阻结构

权利要求书

1.一种改善电阻高频噪声的调阻结构，包括电阻膜(4)，其特征在于：所述电阻膜(4)开设有L型切口(1)、U型切口(6)和J型切口(10)，所述电阻膜靠近L型切口(1)中部开设有第一弧度(2)，所述电阻膜(4)靠近L型切口(1)一端开设有第二弧度(3)，所述电阻膜(4)靠近U型切口(6)底部两侧开设有第三弧度(5)和第四弧度(7)，所述电阻膜(4)靠近J型切口(10)底部开设有第五弧度(8)，所述电阻膜(4)靠近J型切口(10)一端开设有第六弧度(9)。

2.根据权利要求1所述的一种改善电阻高频噪声的调阻结构，其特征在于：所述第三弧度(5)和第四弧度(7)设计相同，且对称分布在电阻膜(4)上的U型切口(6)两侧。

3.根据权利要求1所述的一种改善电阻高频噪声的调阻结构，其特征在于：所述电阻膜(4)顶部固定连接保护膜(12)，所述电阻膜(4)底部固定连接陶瓷基体(13)，所述电阻膜(4)、保护膜(12)和陶瓷基体(13)两侧固定连接第一外电极(11)和第二外电极(14)内侧。

4.根据权利要求3所述的一种改善电阻高频噪声的调阻结构，其特征在于：所述陶瓷基体(13)底部在第一外电极(11)和第二外电极(14)之间固定连接垫片(18)，所述第一外电极(11)和第二外电极(14)底部固定连接第一安装块(15)和第二安装块(19)顶部，所述第一安装块(15)底部开设有安装凸条槽(17)，所述第一安装块(15)底部靠近安装凸条槽(17)固定连接安装凸条(16)。

5.根据权利要求3所述的一种改善电阻高频噪声的调阻结构，其特征在于：所述第一外电极(11)和第二外电极(14)外形均为凵字形，且电阻膜(4)、保护膜(12)和陶瓷基体(13)分布在第一外电极(11)和第二外电极(14)凵字形内部。

6.根据权利要求4所述的一种改善电阻高频噪声的调阻结构，其特征在于：所述第一安装块(15)和第二安装块(19)设计相同，所述第二安装块(19)设置有安装凸条(16)和安装凸条槽(17)，所述安装凸条(16)与第一安装块(15)和第二安装块(19)一体成型。