[实用新型]一种晶圆用化学刻蚀设备有效
| 申请号: | 202020973618.7 | 申请日: | 2020-06-01 |
| 公开(公告)号: | CN211980565U | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
| 发明(设计)人: | 魏剑宏 | 申请(专利权)人: | 苏州昂科微电子技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市苏州相城经济技术*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶圆用 化学 刻蚀 设备 | ||
本实用新型公开了一种晶圆用化学刻蚀设备,包括刻蚀槽,刻蚀槽内放置有晶圆放置架,晶圆放置架上排列有晶圆,晶圆放置架包括相对竖直设置的主支架,滑动设置在主支架底部的支撑拉板以及横向设置在主支架中部的辅助支架,辅助支架上铰接有多个用于定位晶圆侧边的槽块,刻蚀槽底部与中转槽体通过进液管道以及出液管道循环连接,进液管道横向设置且其上设有气泡检测传感器,所述出液管道上设有循环泵。刻蚀均匀性好,可以防止二次刻蚀。
技术领域
本实用新型涉及一种晶圆用化学刻蚀设备。
背景技术
晶圆放置在槽式刻蚀机台中刻蚀时,要确保酸液中没有气泡,有气泡将会影响晶圆刻蚀的良率,在实际操作时,常常会有气泡产生,而且检测不出,目前还存在的问题是化学刻蚀一段时间后,晶圆表面的酸液浓度变低,流动性差,刻蚀效率变慢,而且影响刻蚀的均匀性。
实用新型内容
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种晶圆用化学刻蚀设备。
本实用新型技术方案如下:一种晶圆用化学刻蚀设备,包括刻蚀槽,所述刻蚀槽内放置有晶圆放置架,所述晶圆放置架上排列有晶圆,所述晶圆放置架包括相对竖直设置的主支架,滑动设置在主支架底部的支撑拉板以及横向设置在主支架中部的辅助支架,所述辅助支架上铰接有多个用于定位晶圆侧边的槽块,所述刻蚀槽底部与中转槽体通过进液管道以及出液管道循环连接,所述进液管道横向设置且其上设有气泡检测传感器,所述出液管道上设有循环泵。
具体地:所述刻蚀槽底部竖直设有挡板,所述挡板与进液管道相对设置。
具体地:所述刻蚀槽上方设有喷管,所述喷管上设有与晶圆相匹配的喷嘴。
本实用新型的有益效果在于:横向设置的进液管内的气泡相比竖直管道内的气泡长度较大,气泡检测传感器更容易检测出气泡,误差小;通过拉动底部的支撑拉板可以调整晶圆的倾斜度,在底部进入的酸液通过挡板折流,向上流动,可以改变晶圆表面酸液的流动速率,便于控制刻蚀速率,而且刻蚀均匀性更好,最后刻蚀完喷管内喷洒去离子水,可以防止残留在晶圆表面的酸液进行二次刻蚀。
附图说明
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
其中:1-刻蚀槽;2-主支架;3-支撑拉板;4-辅助支架;5-晶圆;6-进液管道;7-气泡检测传感器;8-中转槽体;9-循环泵;10-出液管道;11-喷管;12-喷嘴;13-挡板。
具体实施方式
下面结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
参阅图1,一种晶圆用化学刻蚀设备,包括刻蚀槽1,所述刻蚀槽1内放置有晶圆放置架,所述晶圆放置架上排列有晶圆5,所述晶圆放置架包括相对竖直设置的主支架2,滑动设置在主支架2底部的支撑拉板3以及横向设置在主支架2中部的辅助支架4,所述辅助支架4上铰接有多个用于定位晶圆5侧边的槽块(未标出),所述刻蚀槽1底部与中转槽体6通过进液管道6以及出液管道10循环连接,所述进液管道6横向设置且其上设有气泡检测传感器7,所述出液管道10上设有循环泵9。
本实用新型中所述刻蚀槽1底部竖直设有挡板13,所述挡板13与进液管道6相对设置。
本实用新型中所述刻蚀槽1上方设有喷管11,所述喷管11上设有与晶圆5相匹配的喷嘴12。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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