[实用新型]一种可控制焊接材料厚度的芯片封装结构

权利要求书

1.一种可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，包括引线框架(10)、芯片(20)和焊接材料(30)，其特征在于，

还包括支撑围挡(40)，所述支撑围挡(40)为首尾相接的框形围挡；所述支撑围挡(40)的两侧分别抵接所述芯片(20)和所述引线框架(10)；所述焊接材料(30)填充于所述芯片(20)与所述引线框架(10)之间，以用于将所述芯片(20)粘结于所述引线框架(10)。

2.根据权利要求1所述的可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其特征在于，所述支撑围挡(40)为等厚度的围挡；所述芯片(20)的底面与所述引线框架(10)的顶面平行。

3.根据权利要求1所述的可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其特征在于，在所述芯片封装结构的厚度方向上，所述支撑围挡的投影位于所述芯片的投影内。

4.根据权利要求3所述的可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其特征在于，所述支撑围挡(40)的外侧边围合形成的区域的面积为围挡面积，所述围挡面积小于所述芯片(20)的面积。

5.根据权利要求4所述的可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其特征在于，所述围挡面积与所述芯片(20)的面积之间的比值为0.7至0.95。

6.根据权利要求1-5任一项所述的可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其特征在于，所述支撑围挡(40)为矩形的支撑围挡(40)。

7.根据权利要求1-5任一项所述的可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其特征在于，所述支撑围挡(40)固定于所述引线框架(10)。

8.根据权利要求1-5任一项所述的可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其特征在于，所述支撑围挡(40)为高温挥发的固体支撑围挡(40)。

9.根据权利要求1-5任一项所述的可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其特征在于，所述支撑围挡(40)为导电围挡或绝缘围挡。

10.根据权利要求1-5任一项所述的可控制焊接材料厚度的芯片封装结构，其特征在于，还包括防溢框(50)和连接件，所述防溢框(50)大于所述芯片(20)；所述支撑围挡(40)、所述芯片(20)位于所述防溢框(50)内，所述支撑围挡(40)与所述防溢框(50)通过所述连接件连接。