[实用新型]DFN功率集成半导体器件

说明书

本实用新型公开一种DFN功率集成半导体器件，其芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离；所述芯片的上表面通过导热胶层贴合有一均热板，此均热板与芯片相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部，此凸起部嵌入环氧封装体内。本实用新型DFN功率集成半导体器件增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也防止环氧封装体与芯片分层，从而阻止水汽进入器件中。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种DFN功率集成半导体器件。

背景技术

DFN是一种最新的电子封装工艺.采用先进的双边扁平无铅封装。DFN平台是最新的表面贴装封装技术。印刷电路板的安装垫、阻焊层和模板样式设计以及组装过程，都需要遵循相应的原则。DFN 平台具有多功能性，可以让一个或多个半导体器件在无铅封装内连接。

现有的芯片的DFN封装结构，其通过设置散热区，然后通过散热区将芯片上的热量导出散热。然而现有技术中散热区主要通过与外界的环境接触进行散热，但是其与外界接触的面积有限，因此散热性能较为一般。如何克服上述技术问题成为本领域技术人员努力的方向。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种DFN功率集成半导体器件，该DFN功率集成半导体器件增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也防止环氧封装体与芯片分层，从而阻止水汽进入器件中。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种DFN功率集成半导体器件，包括位于环氧封装体内的芯片、一端与芯片电连接并分别位于芯片左右两侧的若干个左引脚、右引脚，所述左引脚、右引脚各自的另一端从环氧封装体中延伸出，所述芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离；所述芯片的上表面通过导热胶层贴合有一均热板，此均热板与芯片相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部，此凸起部嵌入环氧封装体内。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述金属散热片为铝散热片、铜散热片或者铝合金散热片。

2. 上述方案中，所述左金属散热片和右金属散热片均为铝散热片、铜散热片或者铝合金散热片。

3. 上述方案中，所述左引脚、右引脚各自的下端面略低于环氧封装体的下表面。

由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：

1、本实用新型DFN功率集成半导体器件，其芯片前后端面均通过导热胶层粘接有金属散热片，所述芯片左右端面均通过导热胶层粘接有左金属散热片和右金属散热片，此左金属散热片和右金属散热片分别开有若干个供左引脚、右引脚嵌入的左通孔和右通孔，所述左通孔、右通孔分别与左引脚、右引脚之间通过环氧封装体绝缘隔离，增加了有效散热面积，提高散热效果，加快了散热的速度，也提高了器件的强度和可靠性并延长了芯片的使用寿命。

2、本实用新型DFN功率集成半导体器件，其其芯片的上表面通过导热胶层贴合有一均热板，此均热板与芯片相背的表面具有若干个间隔设置的凸起部，此凸起部嵌入环氧封装体内，既增强了器件整体强度，也防止环氧封装体与芯片分层，从而阻止水汽进入器件中；还有，其左引脚、右引脚各自的下端面略低于环氧封装体的下表面，从而在半导体器件与PCB电路板之间形成供气流流动的间隙，有利于热量被迅速带走。

附图说明

附图1为本实用新型DFN功率集成半导体器件结构示意图；