[实用新型]用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置

说明书

本实用新型提供了一种用于制备石墨托盘CVD‑SiC涂层的水平上顶式旋转装置，包括：旋转组件设置有一大支撑旋转轴，大支撑旋转轴底部设置有一突出轴，大支撑旋转轴通过突出轴穿设在一炉底，突出轴穿过炉底固定设置在一炉外承力装置内；承载组件设置有大承力板和四根支架，大承力板固定设置在大支撑旋转轴的上端，支架竖直设置在所述大承力板上，支架上设置有多层承力板，承力板的中心均开设有中心孔，中心孔内均设置有一托盘支撑轴，托盘支撑轴的上端均设置有石墨托盘。本装置结构稳定、使用便捷，涂层制备均匀且纯度高，具有装炉率高、合格率高、生产效率高等特点，能够满足各行业MOCVD外延用的SiC涂层的石墨托盘等产品的生产需要。

技术领域

本实用新型涉及LED、半导体、光伏等领域MOCVD工艺关键零部件生产技术领域，特别涉及一种用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置。

背景技术

金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)是制备高质量半导体外延薄膜、LED发光膜的重要技术。MOCVD作为半导体、LED、光伏外延生长的理想方法，具有稳定性好、质量高、重复性好、工艺灵活、可规模化生产等优点。其工作原理是反应气体由载气携带进入反应腔，反应腔中的温度由加热器控制，反应气体在晶圆衬底上沉积形成一层功能芯片薄膜。晶圆衬底是放在有CVD(化学气相沉积法)-SiC涂层的石墨托盘上，完成MOCVD的整个过程。CVD-SiC涂层石墨托盘具有承重、旋转、导热、导流等多重作用，它的尺寸精度、纯度、导热性、寿命与可靠性，直接影响到半导体、LED均匀沉积性与功能品质。因而，CVD-SiC涂层石墨托盘是MOCVD工艺中的非常重要的部件。

MOCVD托盘主要由高纯石墨加工而成，但是高纯石墨在400℃以上会发生氧化，释放杂质气体并与NH3发生化学反应，严重影响芯片的性能，长期使用会因氧化而掉粉，吸附在工件和台面，影响产品品质，为生产带来不便，污染使用环境。目前，国内外普遍采用CVD-SiC涂层石墨托盘。

CVD-SiC涂层石墨托盘具有抗氧化、耐高温和耐酸碱腐蚀等优异性能且物理化学性能稳定，能够对石墨托盘起到良好的保护作用，延长石墨托盘的工作寿命，提高产品的质量。但其生产制备技术要求非常高，目前，只有荷兰、德国、美国与日本等少数几国掌握，并对我国实行技术封锁。

实用新型内容

本实用新型提供了一种用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置，其目的是解决SiC涂层较难均匀制备且反应室易掉粉尘等难题。

为了达到上述目的，本实用新型的实施例提供了一种用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置，包括：

旋转组件，所述旋转组件设置有一大支撑旋转轴，所述大支撑旋转轴底部设置有一突出轴，所述大支撑旋转轴通过所述突出轴穿设在一炉底，所述突出轴穿过所述炉底固定设置在一炉外承力装置内；

承载组件，所述承载组件设置有一大承力板和四根支架，所述大承力板固定设置在所述大支撑旋转轴的上端，四根所述支架竖直设置在所述大承力板上，四根所述支架上设置有多层承力板，每个所述承力板的中心均开设有中心孔，每个所述中心孔内均设置有一托盘支撑轴，每个所述托盘支撑轴的上端均设置有石墨托盘。

其中，所述大承力板与多层所述承力板上的四周均开设有三个定位孔以及一个活动定位卡槽，所述大承力板与多层所述承力板上的所述活动定位卡槽同向开设。

其中，三根所述支架穿设在所述定位孔内，三根穿设在所述定位孔内的所述支架均通过定位螺母与所述大承力板固定安装，所述承力板通过所述定位螺母固定安装在三根所述支架上，剩余的一根所述支架活动的竖直卡设在所述活动定位卡槽内，并用所述定位螺母将所述支架与所述承力板进行固定。

其中，位于最上层的所述石墨托盘上方还设置有一挡尘板，所述挡尘板设置有三个所述定位孔及一个所述活动定位卡槽，所述挡尘板通过所述定位孔和活动定位卡槽安装在四根所述支架上，且所述挡尘板与所述支架通过所述定位螺母进行固定。