[实用新型]用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置有效
申请号: | 202020405979.1 | 申请日: | 2020-03-26 |
公开(公告)号: | CN212025451U | 公开(公告)日: | 2020-11-27 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 湖南兴晟新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/458 |
代理公司: | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人: | 张勇 |
地址: | 412000 湖南省株洲市石峰区联诚*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 石墨 托盘 cvd sic 涂层 水平 上顶式 旋转 装置 | ||
1.一种用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置,其特征在于,包括:
旋转组件,所述旋转组件设置有一大支撑旋转轴,所述大支撑旋转轴底部设置有一突出轴,所述大支撑旋转轴通过所述突出轴穿设在一炉底,所述突出轴穿过所述炉底固定设置在一炉外承力装置内;
承载组件,所述承载组件设置有一大承力板和四根支架,所述大承力板固定设置在所述大支撑旋转轴的上端,四根所述支架竖直设置在所述大承力板上,四根所述支架上设置有多层承力板,每个所述承力板的中心均开设有中心孔,每个所述中心孔内均设置有一托盘支撑轴,每个所述托盘支撑轴的上端均设置有石墨托盘。
2.根据权利要求1所述的用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置,其特征在于,所述大承力板与多层所述承力板上的四周均开设有三个定位孔以及一个活动定位卡槽,所述大承力板与多层所述承力板上的所述活动定位卡槽同向开设。
3.根据权利要求2所述的用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置,其特征在于,三根所述支架穿设在所述定位孔内,三根穿设在所述定位孔内的所述支架均通过定位螺母与所述大承力板固定安装,所述承力板通过所述定位螺母固定安装在三根所述支架上,剩余的一根所述支架活动的竖直卡设在所述活动定位卡槽内,并用所述定位螺母将所述支架与所述承力板进行固定。
4.根据权利要求3所述的用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置,其特征在于,位于最上层的所述石墨托盘上方还设置有一挡尘板,所述挡尘板设置有三个所述定位孔及一个所述活动定位卡槽,所述挡尘板通过所述定位孔和活动定位卡槽安装在四根所述支架上,且所述挡尘板与所述支架通过所述定位螺母进行固定。
5.根据权利要求4所述的用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置,其特征在于,所述挡尘板、托盘支撑轴、承力板、大承力板、定位螺母、支架和大支撑旋转轴由高纯石墨或C/C复合材料加工而成。
6.根据权利要求1所述的用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置,其特征在于,所述托盘支撑轴的上端为锥型圆台或锥型操场状凸台或锥型椭圆台三种形状,所述石墨托盘的底部设置有锥型凹槽,所述石墨托盘通过所述锥型凹槽配合安装在所述托盘支撑轴的上端,所述托盘支撑轴的下端为条形插头,所述托盘支撑轴通过所述条形插头插设在所述中心孔内。
7.根据权利要求1所述的用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置,其特征在于,所述石墨托盘平行于所述承力板,且所述石墨托盘与所述承力板之间设置有间隙。
8.根据权利要求1所述的用于制备石墨托盘CVD-SiC涂层的水平上顶式旋转装置,其特征在于,所述突出轴与所述炉底之间设置有磁流体密封装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的