[实用新型]一种LED芯片及封装结构

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：

发光外延叠层，所述发光外延叠层由上至下依次包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层，所述发光外延叠层内包括至少一个侧壁覆盖有绝缘层的凹处，所述凹处从所述发光外延叠层的下表面延伸到所述第一半导体层；

导电层，所述导电层设置于所述发光外延叠层的下表面一侧，包括第一导电层和第二导电层，其中所述第一导电层穿过所述凹处与所述第一半导体层电连接，所述第二导电层与所述第二半导体层的下表面直接接触以与所述第二半导体层电连接，所述第一导电层与所述第二导电层电隔离；

衬底，所述衬底设置于所述导电层的下表面一侧；以及

热扩散层，所述热扩散层设置于所述导电层与所述衬底之间，与所述导电层的下表面和所述衬底的上表面直接接触。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述热扩散层的面积与所述衬底的面积相等或大于所述衬底的面积。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，当所述热扩散层的面积等于所述衬底的面积时，所述导电层覆盖在所述热扩散层的整个上表面。

4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，当所述热扩散层的面积大于所述衬底的面积时，所述热扩散层延伸至所述衬底的下表面。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述热扩散层的厚度为0.1μm-5μm。

6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述热扩散层的厚度为0.3μm。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述热扩散层包括类金刚石非晶碳膜。

8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光外延叠层的俯视形状包括方形和圆形中的一种。

9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光外延叠层在所述衬底上的投影面积比例为10％-95％。

10.根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述发光外延叠层在所述衬底上的投影面积比例为70％-80％。

11.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述凹处包括孔状结构。

12.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：

电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一导电层电连接，所述第二电极与所述第二导电层电连接。

13.根据权利要求12所述的LED芯片，其特征在于，所述第一导电层的上表面与所述第一半导体层直接接触，所述第一导电层的下表面与所述热扩散层的上表面直接接触，所述第一电极和所述第二电极均朝向上方，所述第一导电层至少具有裸露于所述发光外延叠层之外的部分，用于连接所述第一电极，所述第二导电层至少具有裸露于所述发光外延叠层之外的部分，用于连接所述第二电极，所述绝缘层从所述凹处延伸出并包覆所述第二导电层。

14.一种LED芯片封装结构，其特征在于，所述LED芯片封装结构包括权利要求1-13中任一所述的LED芯片。

15.根据权利要求14所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述LED芯片封装结构还包括：用于承载所述LED芯片的封装基板，所述封装基板具有相互电隔离的第一极性导电层和第二极性导电层，通过焊线将所述LED芯片的所述第一导电层与所述第一极性导电层电连接，所述LED芯片的所述第二导电层与所述第二极性导电层电连接。