[发明专利]集成电路、其电源门控单元及其制造方法在审
申请号: | 202011634686.1 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN113889464A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 张玮玲;杨荣展;田丽钧;陈庭榆 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/8238 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 电源 门控 单元 及其 制造 方法 | ||
本发明的实施例提供了一种集成电路、集成电路上的电源门控单元及其制造方法。电源门控单元包括:中心区域;围绕中心区域的周边区域;第一有源区域位于中心区域,所述第一有源区域在第一方向上具有第一宽度,所述第一宽度对应于在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的至少四个鳍结构;多个第二有源区域位于周边区域中,每个第二有源区域在第一方向上具有第二宽度,该第二宽度对应于在第二方向上延伸的至少一个且不超过三个的鳍结构。
技术领域
本发明的实施例涉及集成电路、其电源门控单元及其制造方法。
背景技术
半导体集成电路(IC)行业经历了快速增长。IC材料和设计方面的技术进步已产生了几代IC,其中每一代都比前一代具有更小、更复杂的电路。然而,这些优势增加了加工和制造IC的复杂性,为实现这些进步,在IC工艺和制造方面需要进行相似的发展。在IC发展的主流过程中,功能密度(即,每个芯片面积互连器件的数量)已普遍增加,而几何尺寸(即,可使用制造工艺创建的最小元件)则已减小。但这种主流发展需要通过在设施建立上进行巨额投资来遵循摩尔法则。因此,一直需要开发具有更小芯片面积、更低成本和更好功率转换效率的IC。
发明内容
根据本发明实施例的一个方面,提供了一种集成电路上的电源门控单元,包括:中心区域;周边区域,围绕中心区域;第一有源区域,位于中心区域内,第一有源区域在第一方向上具有第一宽度,第一宽度与在垂直于第一方向的第二方向上延伸的至少四个鳍结构对应;以及多个第二有源区域,位于周边区域内,每个第二有源区域在第一方向上具有第二宽度,第二宽度与在第二方向上延伸的至少一个且不超过三个的鳍结构对应。
根据本发明实施例的另一个方面,提供了一种集成电路,包括:标准逻辑单元,配置为执行功能;电源门控单元,耦合至标准逻辑单元,电源门控单元配置为响应于控制信号而断开到标准逻辑单元的电源,电源门控单元具有中心区域和围绕中心区域的周边区域;并且其中,电源门控单元还包括:第一有源区域,位于中心区域内,第一有源区域在第一方向上具有第一宽度,第一宽度与在垂直于第一方向的第二方向上延伸的至少四个鳍结构对应;以及多个第二有源区域,位于周边区域内,每个第二有源区域在第一方向上具有第二宽度,第二宽度与在第二方向上延伸的至少一个且不超过三个的鳍结构对应。
根据本发明实施例的又一个方面,提供了一种制造集成电路上的电源门控单元的方法,包括:提供衬底,其中,在衬底上具有第一有源区域和多个第二有源区域,第一有源区域位于电源门控单元的中心区域内,并且在第一方向上具有第一宽度,第多个第二有源区域位于电源门控单元的围绕中心区域的周边区域内,每个第二有源区域在第一方向上具有第二宽度,第二宽度与在第二方向上延伸的至少一个且不超过三个的鳍结构对应;在第一有源区域和多个第二有源区域上方形成鳍结构;一宽度与在垂直于第一方向的第二方向上延伸的至少四个鳍结构对应,掺杂鳍结构的源极区域和漏极区域;以及在第一有源区域和多个第二有源区域内的鳍结构的上方形成栅极结构。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
图1是示出根据一些实施例的并入头部单元和/或脚部单元(统称为“电源门控单元”)的集成电路(IC)布局的框图。
图2A是示出根据一些实施例的电源门控单元的图。
图2B是示出要与图2A的电源门控单元进行比较的第一基准电源门控单元的图。
图2C是示出要与图2A的电源门控单元进行比较的第二基准电源门控单元的图。
图3是示出根据一些实施例的电源门控单元102的图。
图4是示出根据一些实施例的电源门控单元102的图。
图5是示出根据一些实施例的电源门控单元102的图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011634686.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的