[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

形成金属性特征；

在所述金属性特征之上形成蚀刻停止层；

用掺杂剂注入所述金属性特征；

在所述蚀刻停止层之上形成电介质层；

执行第一蚀刻工艺以蚀刻所述电介质层和所述蚀刻停止层，以形成第一开口；

执行第二蚀刻工艺以蚀刻所述金属性特征，并在所述金属性特征中形成第二开口，其中，所述第二开口与所述第一开口接合；以及

用金属性材料填充所述第一开口和所述第二开口以形成接触插塞。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述注入中，注入选自由Ge、Xe、Ar、Si、及其组合组成的组的元素。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述注入中，注入锗。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在注入所述金属性特征中，所述金属性特征的顶部部分被注入，并且所述金属性特征的底部部分未被注入。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属性特征被形成在附加电介质层中，并且其中，所述附加电介质层的顶部部分被注入，并且所述附加电介质层的底部部分未被注入。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述注入是在形成所述蚀刻停止层之后被执行的，并且所述掺杂剂穿过所述蚀刻停止层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述注入是在形成所述蚀刻停止层之前被执行的。

8.一种半导体结构，包括：

第一电介质层；

金属性特征，在所述第一电介质层中，其中，所述金属性特征的上部部分包括具有第一掺杂剂浓度的掺杂剂，并且所述金属性特征的下部部分具有第二掺杂剂浓度的所述掺杂剂，所述第二掺杂剂浓度小于所述第一掺杂剂浓度；

第二电介质层，在所述金属性特征之上；以及

接触插塞，包括：

第一部分，穿过所述第二电介质层；以及

第二部分，在所述金属性特征中，其中，所述第二部分横向地延伸超过所述第一部分的边缘，并且所述第二部分的底部在所述金属性特征的上部部分中。

9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述掺杂剂包括锗。

10.一种半导体结构，包括：

源极/漏极区域；

硅化物区域，在所述源极/漏极区域之上并与所述源极/漏极区域接触；

第一层间电介质；

第一接触插塞，在所述硅化物区域之上并与所述硅化物区域接触，并且所述第一接触插塞在所述第一层间电介质中；

蚀刻停止层，在所述第一接触插塞之上并与所述第一接触插塞接触；

第二层间电介质，在所述蚀刻停止层之上并与所述蚀刻停止层接触；以及

第二接触插塞，包括：

第一部分，在所述第二层间电介质中；

第二部分，在所述蚀刻停止层中，其中，至少所述第二部分的下部部分横向地延伸超过所述第一部分的边缘；以及

第三部分，延伸到所述第一接触插塞中，其中，所述第三部分横向延伸超过所述第二部分的边缘。