[发明专利]钝化层及其制备方法、柔性薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

权利要求书

1.一种柔性薄膜晶体管，包括柔性衬底、栅电极、栅介质层、有源层和源-漏电极层，其特征在于：所述源-漏电极层表面还设置有钝化层；所述钝化层为正十八硫醇自组装单层膜、十八胺自组装单层膜中的一种；所述钝化层的厚度为1nm～5nm；所述钝化层的制备方法包括以下步骤：将制备好源-漏电极层的衬底置于密闭容器中，再将正十八硫醇或十八胺加入密闭容器并加热至熔点，进行气相法沉积，即可在源-漏电极层上形成钝化层。

2.根据权利要求1所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于：所述柔性衬底的材质为聚酰亚胺。

3.根据权利要求1或2所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于：所述源-漏电极层中的源电极为ITO电极、Al电极、Cu电极、Au电极中的一种；所述源-漏电极层中的漏电极为ITO电极、Al电极、Cu电极、Au电极中的一种。

4.权利要求1～3中任意一项所述的柔性薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在柔性衬底上依次沉积栅电极、栅介质层、有源层和源-漏电极层；

2)将制备好源-漏电极层的柔性衬底置于密闭容器中，再将正十八硫醇或十八胺加入密闭容器并加热至熔点，进行气相法沉积，即可在源-漏电极层表面形成钝化层，即得柔性薄膜晶体管。

5.一种阵列基板，包括基板和设置在基板上的薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管为权利要求1～3中任意一项所述的柔性薄膜晶体管。