[发明专利]电容器电解质膜及其制备方法

说明书

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器电解质膜的制备方法，包括以下步骤：在电容器下部电极上淀积电解质膜；降低反应室内的压强；对所述电解质膜进行至少一次再处理，所述再处理包括反应前驱体处理和/或氧化处理，所述反应前驱体处理包括：向反应室内供应电解质膜的前驱体，然后进行吹扫。本申请依次对电解质膜进行若干次处理工艺以及远程等离子体处理，解决了电解质膜的厚度不均匀以及改善了电解质膜表面的Zr空位、O空位的问题，提升了电解质膜的击穿电压，进而降低了电容器漏电发生的可能性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器电解质膜及其制备方法。

背景技术

在DRAM上使用的电容器(Capacitor)具有多种结构，其中，宽高比(Aspect Ratio)大约在40:1以上的圆柱状(Cylinder Type)或柱状(Pillar Type)结构的居多，这种情况下，沉积在电容器(Capacitor)上的电解质(Dielectric)ZrO₂很难有100％的台阶覆盖(Step Coverage)。一般来说，电容器(Capacitor)上的电解质(Dielectric)ZrO₂的台阶覆盖(Step Coverage)不到93％。如图1所示，这会使得电解质(Dielectric)ZrO₂10'在下部电极11'的底部区域(Capacitor BottomZone)厚度(Thickness)变薄，此外，在沉积电解质(Dielectric)ZrO2 10'时，由于反应不完全，使得电解质(Dielectric)ZrO₂10'上会留下各种缺陷，比如产生空位(Void)和金属杂质(Metal Impurity)，导致ZrO₂膜的击穿电压(Breakdown Voltage)变低，进而发生漏电(Leakage)的问题。

发明内容

本申请至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题。为此，本申请提出一种电容器电解质膜及其制备方法，以解决电容器漏电的问题。

为了实现上述目的，本申请第一方面提供了一种电容器电解质膜的制备方法，包括以下步骤：

在电容器下部电极上淀积电解质膜；

降低反应室内的压强；

对所述电解质膜进行至少一次再处理，所述再处理包括反应前驱体处理和/或氧化处理，所述反应前驱体处理包括：向反应室内供应电解质膜的前驱体，然后进行吹扫。

本申请第二方面提供了一种由上所述的电容器电解质膜的制备方法处理得到的电容器电解质膜。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了现有技术中上部电极与电解质膜的结构示意图；

图2示出了本申请一个实施例中上部电极与电解质膜的结构示意图；

图3示出了本申请一个实施例中向反应室内供应电解质膜的前驱体的结构示意图；

图4示出了本申请一个实施例中向反应室内供应含氧等离子体的结构示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。