[发明专利]电容器电解质膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202011568032.3 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114678283A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 崔基雄;项金娟;李亭亭;刘青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/62 | 分类号： | H01L21/62;H01L23/64;H01L49/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容器 电解 质膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在电容器下部电极上淀积电解质膜；
降低反应室内的压强；
对所述电解质膜进行至少一次再处理，所述再处理包括反应前驱体处理和/或氧化处理，所述反应前驱体处理包括：向反应室内供应电解质膜的前驱体，然后进行吹扫。
2.根据权利要求1所述的电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，所述电解质膜的材料选自ZrOx,X的取值为1-2。
3.根据权利要求1所述的电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，所述前驱体为含Zr胺基类有机金属前驱体。
4.根据权利要求3所述的电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，所述前驱体选自三(二甲胺基)环戊二烯基锆。
5.根据权利要求4所述的电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，所述反应前驱体处理的温度为：250-350℃。
6.根据权利要求1所述的电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，对所述电解质膜进行多次再处理，所述反应前驱体处理包括：在第一压强下，向反应室内供应电解质膜的前驱体，之后进行吹扫，之后维持第二压强，再进行下一次反应前驱体处理。
7.根据权利要求6所述的电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，所述反应前驱体处理的时间为5-8min,所述第一压强为50-80mtorr，所述第二压强为2-5torr，所述吹扫使用的气体为Ar。
8.根据权利要求1所述的电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，所述氧化处理为使用远程等离子处理装置对所述电解质膜进行含氧等离子体氧化处理，同时对所述半导体衬底的背面施加偏置电压。
9.根据权利要求8所述的电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，所述氧化处理时的气体包括：氧气、氧自由基或氧离子。
10.根据权利要求1-9任一项所述的电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，所述下部电极呈圆筒状。
11.根据权利要求10所述的电容器电解质膜的制备方法，其特征在于，所述再处理的电解质膜位于所述圆筒状的底部。
12.一种由权利要求1-11任一项所述的电容器电解质膜的制备方法处理得到的电容器电解质膜。
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