[发明专利]一种便于籽晶移植的籽晶生长装置

说明书

本发明属于涉及一种便于籽晶移植的籽晶生长装置，晶体材料制备技术领域，包括圆筒、下端盖、上端盖、下隔板、上隔板、下腔保温隔热层、下腔热电耦、上腔保温隔热层、上腔热电偶、籽晶生长控温管、底座、顶座、安瓿固定架、籽晶生长安瓿；本发明实现将制备籽晶便于移植和固定在晶体材料生长制备籽晶生长安瓿内，同时通过籽晶生长控温管来实现温度的而控制，有利于制备出高性能碲锌镉晶体材料，生长出品质较好的籽晶。

技术领域

本发明属于晶体材料制备技术领域，具体地说，涉及一种便于籽晶移植的籽晶生长装置。

背景技术

制备碲锌镉等单晶材料时，原材料经过提纯、摇摆混合等生产工艺后，需要将原材料封装在晶体材料生长石英安瓿内，在石英安瓿内腔底部还需固定品质良好的籽晶，籽晶作为晶体材料生长的“种子”，用于促进和引导晶体材料生长，对生长出来的晶体材料品质起到重要作用。

现有技术是将籽晶粘接在石英安瓿内腔底部，在底部上方填入经过提纯、摇摆混合等工艺处理后的碲锌镉等原材料，将石英安瓿抽真空封装后，放入晶体材料生长炉进行生长。在此过程中，由于籽晶与石英为融化温度不同的两种材料，籽晶选用现成晶体材料，事先加工成体积较小的颗粒状物，再移植到石英安瓿内腔底部进行粘接，其粘接固定技术较为困难，且加工过程还容易造成籽晶碎裂或污染，稍有偏差，则会导致籽晶脱落或游离到晶体材料生长溶液中，严重影响晶体材料制备品质，还难于及时发现。

发明内容

为了克服背景技术中存在的问题，本发明一种便于籽晶移植的籽晶生长装置，实现将制备籽晶便于移植和固定在晶体材料生长制备籽晶生长安瓿内，同时通过籽晶生长控温管来实现温度的而控制，有利于制备出高性能碲锌镉晶体材料，生长出品质较好的籽晶。

为实现上述目的，本发明是通过如下技术方案实现的：

一种便于籽晶移植的籽晶生长装置包括圆筒1、下端盖2、上端盖3、下隔板4、上隔板5、下腔保温隔热层9、下腔加热线圈10、上腔保温隔热层11、上腔加热线圈12、籽晶生长控温管13、底座14、顶座15、安瓿固定架16、籽晶生长安瓿17，所述的圆筒1呈两端开口的圆柱形状结构，圆筒1下端与上端分别安装有下端盖2、上端盖3，圆筒1内设置有下隔板4、上隔板5，下隔板4、上隔板5将圆筒1的内腔分隔为下腔6、籽晶生长控温舱7和上腔8；下腔6区域内圆筒1与下端盖2的内壁上设置有下腔保温隔热层9，下腔6内安装有下腔加热线圈10；上腔8区域内圆筒1与上端盖3的内壁上设置有上腔保温隔热层11，上腔8内安装有上腔加热线圈12；下隔板4上均匀的安装有底座14，上隔板5上开设有与下隔板4上底座14一一对应的通孔，籽晶生长控温管13的下端穿过通孔安装在底座14上，底座14上开设有与下腔6及籽晶生长控温管13内腔连通的温度梯度调节下孔18，籽晶生长控温管13的上端通过顶座15固定在上隔板5上，顶座15的底部安装有一个伸入到籽晶生长控温管13内的安瓿固定架16，籽晶生长安瓿17安装在安瓿固定架16上，顶座15上开始有一个与上腔8及籽晶生长控温管13内腔连通的温度梯度调节上孔19。

进一步，所述的籽晶生长安瓿17为石英管，整体呈U型结构，包括U形石英管20、安瓿细颈21、生长容腔22、粘接嘴23，所述的U形石英管20的左端高度低于右端高度，U形石英管20的左端顶部设置有与其内腔及生长容腔22连通的安瓿细颈21，生长容腔22的顶部为粘接嘴23。

进一步，所述的下腔6和上腔8内分别设置有温度传感器Ⅰ25和温度传感器Ⅱ26，所述的温度传感器Ⅰ25和温度传感器Ⅱ26分别与PLC控制器27连接，PLC控制器27分别通过继电器与下腔加热线圈10、上腔加热线圈12连接。

本发明的有益效果：

本发明实现将制备籽晶便于移植和固定在晶体材料生长制备籽晶生长安瓿内，同时通过籽晶生长控温管来实现温度的而控制，有利于制备出高性能碲锌镉晶体材料，生长出品质较好的籽晶。

附图说明

图1为本发明的结构示意图；