[发明专利]III-V族材料芯片去层方法

说明书

本发明公开了III‑V族材料芯片去层方法，包括以下步骤：M_XS1：准备需要去层的目标芯片；S2：对目标芯片进行研磨，研磨掉其封装材料直至衬底层完全露出，并将该面作为上面；S3：将目标芯片朝上放置在玻璃底座上，将配置好的环氧树脂覆盖芯片外表面，待环氧树脂完全固化；S4：待环氧树脂完全固化后，将镶嵌环氧树脂的芯片在抛光机上减薄；S5：研磨目标芯片衬底层，之后依次去除芯片M1层，直至层，其中1X3；本发明的有益效果是，带封装镶嵌方法，减少了在去封装过程对目标芯片的损坏，同时更好的保护目标芯片；再是逆向的去层方式，降低衬底层对后续工艺影响，进一步降低目标芯片损坏开裂的风险。

技术领域

本发明涉及材料芯片处理技术领域，特别是III-V族材料芯片去层方法。

背景技术

III-V族半导体材料是元素周期表中IIIA元素与VA族元素组成的化合物，其化学成分比为1:1，主要包括以下几种化合物：GaAs、GaP、InP等；III-V族半导体材料具有更宽的禁带宽度，广泛的应用在高速、高频、大功率芯片以及发光器件上，尤其是在半导体照明和通信技术上发展迅猛，针对相关芯片的工艺分析的需求也与日俱增；

现有的对芯片进行去层工艺是将芯片封装完全去除后，从芯片的顶层开始逐层去除；但对于III-V族半导体材料芯片，由于其材质较软，在研磨和刻蚀的过程中金属容易损坏，并且其dif层也会在外力的作用下容易发生破碎。

鉴于上述情况，有必要对现有的芯片去层方法加以改进，使其能够适应现在对半导体芯片材料去层的需要。

发明内容

目前对芯片进行去层工艺通常是将芯片封装去除后，然后一层一层将芯片进行去除，但是对于III-V族半导体材料芯片，由于其材质较软，在研磨和刻蚀的过程中金属容易损坏，并且其dif层也会在外力的作用下容易发生破碎，因此我们在现有技术的缺陷上设计了一种III-V族材料芯片去层方法，能够适应各种封装类型芯片，并且能够提高去层的成功率并降低去层操作的难度。

实现上述目的本发明的技术方案为，III-V族材料芯片去层方法，包括以下步骤：

S1：准备需要去层的目标芯片；

S2：对目标芯片进行研磨，研磨掉其封装材料直至衬底层完全露出，并将该面作为上面；

S3：将目标芯片朝上放置在玻璃底座上，将配置好的环氧树脂覆盖芯片外表面，待环氧树脂完全固化；

S4：待环氧树脂完全固化后，将镶嵌环氧树脂的芯片在抛光机上减薄；

S5：研磨目标芯片衬底层，之后依次去除芯片M1层，直至M_X层，其中1X3。

对本技术方案的进一步补充，步骤S2中，对带有封装材料的目标芯片衬底所在的一面进行研磨。

对本技术方案的进一步补充，步骤S3中，将环氧树脂均匀包裹住目标芯片只露出芯片衬底区域。

对本技术方案的进一步补充，步骤S3中，环氧树脂覆盖后将目标芯片衬底一面用玻片压平。

对本技术方案的进一步补充，步骤S4中，减薄一面为目标芯片衬底一面，并达到目标芯片衬底。

其有益效果在于，带封装镶嵌方法，减少了在去封装过程对目标芯片的损坏，同时更好的保护目标芯片；再是逆向的去层方式，从目标芯片衬底层开始研磨，降低衬底层对后续工艺影响，进一步降低目标芯片损坏开裂的风险，同时能够充分利用封装材料和镶嵌料对目标芯片的制成起到保护作用，提高目标芯片去层的质量，降低了操作难度提高去层效率。

具体实施方式