[发明专利]III-V族材料芯片去层方法在审
| 申请号： | 202011566100.2 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687535A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 左振宏;赵一诚 | 申请（专利权）人： | 苏州芯联成软件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州言思嘉信专利代理事务所(普通合伙) 32385 | 代理人： | 刘巍 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 材料 芯片 方法 | ||
【权利要求书】：
1.III-V族材料芯片去层方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：准备需要去层的目标芯片；
S2：对目标芯片进行研磨，研磨掉其封装材料直至衬底层完全露出，并将该面作为上面；
S3：将目标芯片朝上放置在玻璃底座上，将配置好的环氧树脂覆盖芯片外表面，待环氧树脂完全固化；
S4：待环氧树脂完全固化后，将镶嵌环氧树脂的芯片在抛光机上减薄；
S5：研磨目标芯片衬底层，之后依次去除芯片M1层，直至MX层，其中1X3。
2.根据权利要求1所述的III-V族材料芯片去层方法，其特征在于，步骤S2中，对带有封装材料的目标芯片衬底所在的一面进行研磨。
3.根据权利要求2所述的III-V族材料芯片去层方法，其特征在于，步骤S3中，将环氧树脂均匀包裹住目标芯片只露出芯片衬底区域。
4.根据权利要求1所述的III-V族材料芯片去层方法，其特征在于，步骤S3中，环氧树脂覆盖后将目标芯片衬底一面用玻片压平。
5.根据权利要求1所述的III-V族材料芯片去层方法，其特征在于，步骤S4中，减薄一面为目标芯片衬底一面，并达到目标芯片衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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