[发明专利]一种电路板镀膜工艺

权利要求书

1.一种电路板镀膜工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1:电路板除尘、除湿与保护：用流动的超纯水冲洗电路板，放置烘箱放置烘干；用高温胶带或屏蔽胶将电路板上的保护点进行屏蔽处理；

S2:在无尘室中将电路板悬挂在物料架上，物料架每层放置一块载玻片；

S3:称取镀膜原料放置于原料蒸发盒内，再量取偶联剂加入偶联剂蒸发盒内；

S4:对蒸发盒进行抽真空，打开真空泵、球阀、冷冻机、底盘马达，启动蒸发炉，偶联剂挥发，挥发5min～15min；

S5:偶联剂挥发完全后，将温度升至160～180℃，升温速度5℃/10min～20min，使镀膜原料完全蒸发为气态分子，在真空状态下进入裂解室；

S6:通过裂解室高温状态下裂解为具有反应活性的活性单体，活性单体在真空状态下进入沉积室，沉积90min～150min后活性单体会在单板表面重新聚合形成一层致密无真空的纳米膜层；

S7:镀膜完成后，依次关闭蒸发炉、热解沉积组、偶联剂组，再关闭真空泵、球阀、冷冻机、地盘马达，然后启动漏气阀，观察气压表，当气压降至正常大气压后打开舱体将镀膜后的电路板取出；

S8:电路板取出后，拆掉屏蔽胶，将载玻片一起取出，用螺旋测微器测量膜层厚度。

2.根据权利要求1所述一种电路板镀膜工艺，其特征在于，所述裂解室高温状态的温度值为650℃～700℃。

3.根据权利要求1所述一种电路板镀膜工艺，其特征在于，所述镀膜原料为N粉、C粉、HT、D粉中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述一种电路板镀膜工艺，其特征在于，所述蒸发炉温度保持在75℃～85℃。