[发明专利]薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构

说明书

本发明适用于陶瓷电路板薄膜金属层刻蚀技术领域，提供了一种薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构，该方法包括：通过在陶瓷基板的上下表面沉积金属种子层；在所述金属种子层上表面的预留线路图形的位置制备金属图形，且任意相邻的第一金属图形与第二金属图形之间的间隔的深度与宽度比大于预设阈值；采用激光束刻蚀所述间隔中的底面的金属种子层。本发明中通过采用激光束刻蚀高深宽比图像之间的金属种子层，刻蚀精度高，且不存在湿法刻蚀中的钻蚀现象。

技术领域

本发明属于陶瓷电路板薄膜金属层刻蚀技术领域，尤其涉及一种薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构。

背景技术

随着5G技术的兴起，射频电路的应用越来越广泛，电子器件迎来了发展的黄金期。同时市场需求产品对薄膜工艺的制备水平提出了更高的精度要求，其中薄膜的金属层刻蚀工艺精度还有非常大的提升空间。

目前陶瓷基板薄膜工艺中金属层刻蚀主要是使用化学溶液来“湿法”刻蚀，即使用水溶性的酸、碱与薄膜表面待刻蚀的金属层反应形成盐，从而被溶解或冲洗掉，以刻蚀掉指定区域的金属层。然而，采用化学溶液进行湿法刻蚀时，刻蚀的反应速率不易控制，导致对基板上图形线条的刻蚀精度差，甚至导致刻蚀溶液造成严重的钻蚀现象，尤其是在高深宽比的线路图形中情况更为严重。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构，旨在解决现有技术中湿法刻蚀的反应速率不易控制导致刻蚀精度差的问题。

为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供了一种薄膜金属层的刻蚀方法，包括：

在陶瓷基板的上下表面沉积金属种子层；

在所述金属种子层上表面的预留线路图形的位置制备金属图形，且任意相邻的第一金属图形与第二金属图形之间的间隔的深度与宽度比大于预设阈值；

采用激光束刻蚀所述间隔中的底面的金属种子层。

作为本申请另一实施例，所述金属种子层的材料包括钛、铜和镍。

作为本申请另一实施例，所述金属种子层的厚度为0.5微米至1微米。

作为本申请另一实施例，所述预设阈值为10:1。

作为本申请另一实施例，所述在所述金属种子层上表面的预留线路图形的位置制备金属图形，包括：

在所述金属种子层上粘附一层光敏材料，对所述光敏材料进行曝光显影，显露的区域形成预留线路图形；

在所述预留线路图形上沉积金属，得到金属图形；

去除剩余的光敏材料。

作为本申请另一实施例，所述金属图形对应的金属的材料为铜。

作为本申请另一实施例，沉积的金属的厚度为100微米至1厘米。

作为本申请另一实施例，所述去除剩余的光敏材料，包括：

采用浸泡化学溶剂法，将曝光后的剩余的光敏材料脱离所述金属种子层。

作为本申请另一实施例，所述采用激光束刻蚀所述间隔中的底面的金属种子层，包括：

采用四光楔激光扫描装置射出的激光刻蚀所述间隔中金属图形侧壁与水平的金属种子层的交界处，使所述第一金属图形与所述第二金属图形之间的金属种子层汽化蒸发。

本发明实施例的第二方面提供了一种薄膜金属层的刻蚀结构，包括：采用上述任一实施例所述的薄膜金属层的刻蚀方法制备得到的结构。