[发明专利]薄膜金属层的刻蚀方法及薄膜金属层的刻蚀结构在审
| 申请号： | 202011496720.3 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112614808A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 唐晓赫;李仕俊;常青松;姜永娜;袁彪;刘晓红;杨阳阳;屈建洋;韩宏远;刘文涛;董占红;席红英;侯小鹏;梁楚楚;安丽丽 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/498 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 金属 刻蚀 方法 结构 | ||
1.一种薄膜金属层的刻蚀方法，其特征在于，包括：
在陶瓷基板的上下表面沉积金属种子层；
在所述金属种子层上表面的预留线路图形的位置制备金属图形，且任意相邻的第一金属图形与第二金属图形之间的间隔的深度与宽度比大于预设阈值；
采用激光束刻蚀所述间隔中的底面的金属种子层。
2.如权利要求1所述的薄膜金属层的刻蚀方法，其特征在于，所述金属种子层的材料包括钛、铜和镍。
3.如权利要求1所述的薄膜金属层的刻蚀方法，其特征在于，所述金属种子层的厚度为0.5微米至1微米。
4.如权利要求1所述的薄膜金属层的刻蚀方法，其特征在于，所述预设阈值为10:1。
5.如权利要求1-4中任一项所述的薄膜金属层的刻蚀方法，其特征在于，所述在所述金属种子层上表面的预留线路图形的位置制备金属图形，包括：
在所述金属种子层上粘附一层光敏材料，对所述光敏材料进行曝光显影，显露的区域形成预留线路图形；
在所述预留线路图形上沉积金属，得到金属图形；
去除剩余的光敏材料。
6.如权利要求5所述的薄膜金属层的刻蚀方法，其特征在于，所述金属图形对应的金属的材料为铜。
7.如权利要求5所述的薄膜金属层的刻蚀方法，其特征在于，沉积的金属的厚度为100微米至1厘米。
8.如权利要求5所述的薄膜金属层的刻蚀方法，其特征在于，所述去除剩余的光敏材料，包括：
采用浸泡化学溶剂法，将曝光后的剩余的光敏材料脱离所述金属种子层。
9.如权利要求1-4中任一项所述的薄膜金属层的刻蚀方法，其特征在于，所述采用激光束刻蚀所述间隔中的底面的金属种子层，包括：
采用四光楔激光扫描装置射出的激光刻蚀所述间隔中金属图形侧壁与水平的金属种子层的交界处，使所述第一金属图形与所述第二金属图形之间的金属种子层汽化蒸发。
10.一种薄膜金属层的刻蚀结构，其特征在于，包括：采用上述权利要求1-9中任一项所述的薄膜金属层的刻蚀方法制备得到的结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
