[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

一种阵列基板及其制备方法、显示装置，阵列基板包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的氧化物半导体薄膜晶体管，所述氧化物半导体薄膜晶体管包括氧化物半导体有源层，所述氧化物半导体有源层包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏极区；与所述源漏极区接触的含氢层，所述含氢层适于向源漏极区中扩散氢。所述阵列基板能够提高可靠性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着信息社会的进步，显示装置得到广泛的应用。显示装置包括液晶显示器装置、等离子体显示面板装置、有机发光二极管显示装置等。

其中，液晶显示器装置和有机发光二极管显示装置包括用于电学连接像素区域的薄膜晶体管。薄膜晶体管用于驱动像素区域以显示图像。所述薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极、栅介质层和栅极，其中，所述有源层的材料包括非晶硅、多晶硅、氧化物半导体材料中的一种。当有源层的材料为氧化物半导体材料时的导电性优于有源层的材料为非晶硅时的导电性。其次，有源层的材料为氧化物半导体材料时的制造工艺也较为简单。

然而，现有技术中氧化物半导体薄膜晶体管的可靠性较差。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中氧化物半导体薄膜晶体管可靠性较差的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的氧化物半导体薄膜晶体管，所述氧化物半导体薄膜晶体管包括氧化物半导体有源层，所述氧化物半导体有源层包括沟道区和位于沟道区两侧的源漏极区；与所述源漏极区接触的含氢层，所述含氢层适于向源漏极区中扩散氢。

可选的，所述含氢层位于所述衬底基板和所述源漏极区之间。

可选的，所述含氢层的材料包括氮化硅。

可选的，所述含氢层的厚度为100纳米～150纳米。

可选的，所述含氢层背向所述衬底基板的一侧表面至衬底基板的距离小于或等于所述沟道区朝向所述衬底基板的表面至所述衬底基板之间的距离。

可选的，所述含氢层在所述氧化物半导体有源层表面的投影与所述沟道区的重叠区域的面积为零。

可选的，所述源漏极区的电阻率为1x10^－5欧姆＊米～1x10^－4欧姆＊米。

可选的，所述半导体薄膜晶体管还包括：顶栅介质层，所述顶栅介质层位于所述氧化物半导体有源层背向所述衬底基板的一侧、且延伸至所述氧化物半导体有源层侧部的衬底基板上；位于所述顶栅介质层背向所述衬底基板一侧的顶栅层，且所述顶栅层与所述沟道区相对。

可选的，在沿着所述沟道区的长度的方向上，所述含氢层的边缘至所述顶栅层的边缘之间的间距大于等于0。

可选的，在沿着所述沟道区的长度的方向上，所述含氢层至所述顶栅层的边缘之间的间距为0.5微米～1微米。

可选的，所述顶栅层的侧壁和所述顶栅层朝向所述衬底基板一侧的表面之间的夹角为60度～75度。

可选的，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板和所述顶栅介质层之间的绝缘层，且所述氧化物半导体有源层和所述含氢层位于所述绝缘层背向所述衬底基板的一侧。

可选的，所述半导体薄膜晶体管为单栅结构；优选的，所述绝缘层中具有位于朝向所述源漏极区的凹槽，所述含氢层位于所述凹槽中；优选的，所述含氢层位于所述凹槽的部分区域，或者所述含氢层背向所述衬底基板一侧的表面与含氢层侧部的所述绝缘层背向所述衬底基板一侧的顶面齐平。

可选的，所述半导体薄膜晶体管为双栅结构，所述绝缘层为底栅介质层，所述阵列基板还包括：位于部分所述底栅介质层和部分所述衬底基板之间的底栅层，所述底栅层与所述沟道层相对设置。