[发明专利]一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置在审
申请号: | 202011475193.8 | 申请日: | 2020-12-14 |
公开(公告)号: | CN112626466A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 傅宇蕾;胡静;赵万生;耿海峰;彭福军 | 申请(专利权)人: | 上海宇航系统工程研究所 |
主分类号: | C23C14/30 | 分类号: | C23C14/30;C23C14/54 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 任林冲 |
地址: | 201108 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 火花 脉冲 放电 电子束 进行 薄膜 沉积 装置 | ||
1.一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置,其特征在于,包括试验腔体(1)、赝火花放电腔体体及配套电路(2)、抽真空装置(3)、赝火花放电电子束(4)、工作气体及气压控制装置(5)、薄膜沉积靶材及移动平台(6)、衬底加热及移动平台(7)、电子束束流强度控制及测量装置(8),
试验腔体(1)为封闭腔体,其内包含赝火花放电电子束(4)、薄膜沉积靶材及移动平台(6)、衬底加热及移动平台(7)和电子束束流强度控制及测量装置(8),
赝火花放电电子束(4)作为赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积能量源;薄膜沉积靶材及移动平台(6)用于固定和控制薄膜沉积靶材;衬底加热及移动平台(7)用于固定和加热衬底;电子束束流强度控制及测量装置(8)用于调控电子束流强度;
试验腔体(1)外围与赝火花放电腔体体及配套电路(2)相连,用于引入脉冲电子束;与抽真空装置(3)相连,用于腔内气体的抽真空;与工作气体及气压控制装置(5)相连,用于腔体内气压控制;
试验腔体(1)外围设置有光学观测接口(9),用于观察腔内情况;设置有弱电信号接口(10),用于薄膜沉积靶材及移动平台(6)、衬底加热及移动平台(7)以及电子束束流强度控制及测量装置(8)的弱电信号的引入;设置高压电接口(11),用于腔内高压电信号的引入;设置运动控制平台接口(12),用于接入薄膜沉积靶材及移动平台(6)及衬底加热及移动平台(7)的运动控制信号。
2.根据权利要求1所述的一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置,其特征在于,赝火花放电腔体体及配套电路(2)包括赝火花放电腔体(201)、限流电阻(202)、放电电容(203)、电流传感器(204),
赝火花放电腔体(201)为空心阴极放电电子束腔体,内含十层聚四氟乙烯绝缘极板作为阴阳极板,在该放电腔体结构形式下,可形成基于空心阴极效应的自持、周期性、重复性的脉冲放电电子束;
限流电阻(202)、电流传感器(204)均与赝火花放电腔体(201)串联,放电电容(203)与赝火花放电腔体(201)并联连接,并与限流电阻(202)、电流传感器(204)串联连接,赝火花放电腔体中空心阳极(206)与空心阴极(208)相对并由陶瓷封装(207)隔开。
3.根据权利要求1所述的一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置,其特征在于,抽真空装置(3)包括机械泵(301)、分子泵(302)和真空系统接口(303),机械泵(301)、分子泵(302)分别通过真空系统接口(303)与试验腔体(1)相连。
4.根据权利要求1所述的一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置,其特征在于,赝火花放电电子束(4)由赝火花放电腔体体及配套电路(2)引出,作为赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积能量源。
5.根据权利要求1所述的一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置,其特征在于,工作气体及气压控制装置(5)包括工作气体(501)、真空计(502)、质量流量计(503)和工作气体输入接口(504),其中工作气体(501)、真空计(502)与质量流量计(503)串联并通过工作气体输入接口(504)接入试验腔体(1)中,该套是被用于腔体内气压控制。
6.根据权利要求1所述的一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置,其特征在于,薄膜沉积靶材及移动平台(6)包括衬底托(601)、衬底X方向移动控制手柄(602)和衬底Y方向移动控制手柄(603),其中衬底X方向移动控制手柄(602)和衬底Y方向移动控制手柄(603)分别与衬底托(601)相连并起到控制与移动沉积靶材的作用。
7.根据权利要求1所述的一种基于赝火花脉冲放电电子束进行薄膜沉积装置,其特征在于,衬底加热及移动平台(7)包括衬底加热平台(701),用于衬底材料的加热升温;连接法兰(702),用于与试验腔体(1)相连;备用法兰(703),用于备用接口;衬底台旋转及Z方向移动装置(704),用于控制衬底材料在腔体内沿Z方向的升降。
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