[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

说明书

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体集成电路技术领域，以解决钨塞中的钨被掏蚀，影响上下互联的导电效果的问题。所述半导体器件的制造方法包括：提供金属层和层间介质层，其中，所述层间介质层具有通孔。在层间介质层的通孔侧壁形成保护侧墙。沿高度方向刻蚀部分所述层间介质层，以使所述保护侧墙的顶部高于所述层间介质层的顶部。在具有所述保护侧墙的所述通孔内形成金属塞结构，其中，所述保护侧墙的顶部高于所述金属塞结构的顶部。在所述金属塞结构上形成金属线。所述半导体器件包括上述技术方案所提的半导体器件的制造方法。本发明提供的半导体器件的制造方法用于制造半导体器件。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。

背景技术

在半导体器件层形成之后，需要在半导体器件上形成金属互连层，每层金属互连层包括金属互连线和层间介质层，需要对上述层间介质层制造通孔，然后在通孔中沉积金属，沉积的金属即为金属互联线。通常，钨被用来作为沉积通孔填充薄膜及在第一金属互联层和半导体器件上的硅化物接触之间作为填充物使用。

但是，在上述工艺中，经常会遇到如下情况，由于前制程不良会产生光刻误差，使得钨塞暴露，从而导致在刻蚀上层金属线时会损伤暴露的钨塞，使得钨被掏蚀，从而影响上下互联导电的效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，用于扩大工艺窗口，防止由于套刻误差导致钨塞中的钨被掏蚀，保证上下互联的导电效果，提高器件的良率。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

第一方面，本发明提供一种半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法包括：

提供金属层和层间介质层，其中，所述层间介质层具有通孔。

在所述层间介质层的通孔侧壁形成保护侧墙。

沿高度方向刻蚀部分层间介质层，以使保护侧墙的顶部高于层间介质层的顶部。

在具有保护侧墙的通孔内形成金属塞结构，其中，保护侧墙的顶部高于金属塞结构的顶部。

在金属塞结构上形成金属线。

本发明的半导体器件的制造方法中，通过在通孔的侧壁形成保护侧墙保护金属塞结构，且由于保护侧墙的顶部高于层间介质层的顶部，因此，当在具有保护侧墙的通孔内形成金属塞结构时，保护侧墙的顶部高于金属塞结构的顶部。此时，当形成金属线的金属刻蚀工艺中发生套刻误差时，保护侧墙的顶部首先被刻蚀，通常发生套刻误差的范围不会过大，基本不会继续刻蚀金属塞结构中的金属塞。故利用本发明提供的半导体器件的制造方法制造的半导体器件，可以避免当形成金属线的金属刻蚀工艺中发生套刻误差时，金属塞结构中的金属塞被刻蚀的情况，提高了半导体器件的良率。

第二方面，本发明还提供了一种半导体器件，包括：金属层，形成在所述金属层上具有通孔的层间介质层，形成在所述通孔内的金属塞结构，以及形成在所述金属塞结构上的金属线。该半导体器件还包括保护侧墙，所述保护侧墙形成在所述金属塞结构外侧壁与通孔的侧壁之间，所述保护侧墙的顶部高于所述层间介质层和所述金属塞结构的顶部。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件的有益效果与第一方面或着第一方面任一可能的技术方案半导体器件的制造方法的有益效果相同，此处不做赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1～图8为本发明实施例中提供的半导体器件的制造方法的各个阶段的状态示意图。

具体实施方式