[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供金属层和层间介质层，其中，所述层间介质层具有通孔；

在所述层间介质层的通孔的侧壁形成保护侧墙；

沿高度方向刻蚀部分所述层间介质层，以使所述保护侧墙的顶部高于所述层间介质层的顶部；

在具有所述保护侧墙的所述通孔内形成金属塞结构，其中，所述保护侧墙的顶部高于所述金属塞结构的顶部；

在所述金属塞结构上形成金属线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述层间介质层的通孔的侧壁形成保护侧墙包括：

在所述层间介质层上以及所述通孔的侧壁和底部形成保护层；

去除位于所述层间介质层上以及所述通孔底部的保护层，保留位于所述通孔侧壁的保护层，得到所述保护侧墙。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层为氮化硅层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在具有所述保护侧墙的所述通孔内形成金属塞结构包括：

形成覆盖所述层间介质层、所述保护侧墙以及所述通孔内壁的阻挡层；

在所述通孔内的所述阻挡层上形成金属塞；

去除位于所述层间介质层、所述保护侧墙上以及部分所述保护侧墙侧壁的所述阻挡层，形成金属塞结构，所述金属塞结构中的所述阻挡层的顶部不低于所述金属塞的顶部。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为钛层，或氮化钛层，或钛层和氮化钛层形成的叠层。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属塞为钨塞。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述金属塞结构上形成金属线包括：

在所述金属塞结构以及所述层间介质层上形成金属线层；

去除位于所述金属线层和位于金属线层下部的层间介质层，至少保留所述金属塞结构上的金属线层，形成金属线。

8.根据权利要求1～7任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述层间介质层为氧化层。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：金属层，形成在所述金属层上具有通孔的层间介质层，形成在所述通孔内的金属塞结构，以及形成在所述金属塞结构上的金属线；所述半导体器件还包括保护侧墙，所述保护侧墙形成在所述金属塞结构外侧壁与通孔的侧壁之间，所述保护侧墙的顶部高于所述层间介质层和所述金属塞结构的顶部。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述金属塞结构包括金属塞，以及位于所述金属塞与所述通孔之间的阻挡层。