[发明专利]多层晶圆的制备方法在审
申请号: | 202011444742.5 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN112599502A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 叶国梁 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/07;H01L23/48;H01L21/18 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 制备 方法 | ||
1.一种多层晶圆的制备方法,其特征在于,包括:
提供依次键合的M片晶圆形成晶圆堆叠,所述晶圆堆叠具有相背的第一表面和第二表面;
从所述晶圆堆叠的第一表面朝向所述晶圆堆叠的第二表面对所述晶圆堆叠的边缘进行N次切边,以使所述晶圆堆叠的边缘形成N个台阶;其中,所述N次切边中第i次切边产生的切边宽度小于所述N次切边中第j次切边产生的切边宽度,且所述第i次切边产生的切边深度大于所述第j次切边产生的切边深度;N次切边中产生的最小切边宽度不小于一预设阈值,所述N次切边中产生的最大切边深度小于等于所述晶圆堆叠的厚度;
在所述晶圆堆叠的边缘形成填充层,所述填充层至少填充所述晶圆堆叠的N个台阶;
对所述晶圆堆叠的第二表面进行减薄;其中,M、N为大于1的自然数,i≠j。
2.根据权利要求1所述的多层晶圆的制备方法,其特征在于,
所述晶圆堆叠中的第m片晶圆包括衬底、位于所述衬底的一侧表面的介质层以及嵌设于所述介质层中的金属层;
通过所述第m片晶圆的介质层将所述第m片晶圆与第m-1片晶圆键合;其中,2≤m≤M,m取值从所述晶圆堆叠的第一表面朝向所述晶圆堆叠的第二表面的方向依次递减。
3.根据权利要求2所述的多层晶圆的制备方法,其特征在于,所述从所述晶圆堆叠的第一表面朝向所述晶圆堆叠的第二表面对所述晶圆堆叠的边缘进行N次切边,以使所述晶圆堆叠的边缘形成N个台阶具体包括:
第i次切边产生的切边宽度小于第i-1次切边产生的切边宽度,第i次切边产生的切边深度大于第i-1次切边产生的切边深度,其中,2≤i≤N。
4.根据权利要求3所述的多层晶圆的制备方法,其特征在于,最后一次切边产生的切边深度介于所述晶圆堆叠的厚度与去除第一片晶圆后剩余所述晶圆堆叠的厚度之间。
5.根据权利要求4所述的多层晶圆的制备方法,其特征在于,N=M,第i-1次切边形成的水平台阶表面位于第m片晶圆与第m-1片晶圆之间的介质层内;其中,(i-1)+(m-1)=M;
当i=N时,第i次切边形成的水平台阶表面位于第一片晶圆内。
6.根据权利要求2所述的多层晶圆的制备方法,其特征在于,所述从所述晶圆堆叠的第一表面朝向所述晶圆堆叠的第二表面对所述晶圆堆叠的边缘进行N次切边,以使所述晶圆堆叠的边缘形成N个台阶具体包括:
第i次切边产生的切边宽度大于第i-1次切边产生的切边宽度,第i次切边产生的切边深度小于第i-1次切边产生的切边深度,其中,2≤i≤N。
7.根据权利要求6所述的多层晶圆的制备方法,其特征在于,i=2时,所述第i-1次切边产生的切边深度介于所述晶圆堆叠的厚度与去除第一片晶圆后剩余所述晶圆堆叠的厚度之间。
8.根据权利要求7所述的多层晶圆的制备方法,其特征在于,N=M,第i次切边形成的水平台阶表面位于第m片晶圆与第m-1片晶圆之间的介质层内,其中,i=m;
当i=2时,第i-1次切边形成的水平台阶表面位于第一片晶圆内。
9.根据权利要求1所述的多层晶圆的制备方法,其特征在于,所述在所述晶圆堆叠的边缘形成填充层,所述填充层至少填充所述晶圆堆叠的N个台阶的步骤具体包括:
在所述晶圆堆叠的边缘涂覆胶层,所述胶层至少填充所述晶圆堆叠的N个台阶。
10.根据权利要求9所述的多层晶圆的制备方法,其特征在于,所述在所述晶圆堆叠的边缘形成填充层,所述填充层至少填充所述晶圆堆叠的N个台阶的步骤之后,在对所述晶圆堆叠的第二表面进行减薄的步骤之前,还包括:
在所述填充层远离所述晶圆堆叠的一侧表面设置保护膜。
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