[发明专利]一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结及其制备方法有效
申请号: | 202011432991.2 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN112490356B | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 文丹丹;陈霞;骆大森;黎人溥;崔巍;邸克;刘宇 | 申请(专利权)人: | 重庆邮电大学 |
主分类号: | H01L43/12 | 分类号: | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/10 |
代理公司: | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 | 代理人: | 李金蓉 |
地址: | 400065 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 石墨 掺杂 柔性 磁电 异质结 及其 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,采用CO2红外激光器碳化柔性衬底,以在柔性衬底表面形成石墨烯薄膜;
步骤2,将70/30或80/20 mol%配比的P(VDF-TrFE)聚合物粉末分散于二甲基甲酰胺中,得到PVDF溶液;将PVDF溶液,滴至石墨烯薄膜表面;将得到的 P(VDF-TrFE)/石墨烯/柔性衬底进行预烘,135℃退火形成β相P(VDF-TrFE);
步骤3,以金属钴铁硼为靶材,采用磁控溅射法在P(VDF-TrFE)铁电层表面进行沉积,形成金属层;
步骤4,以金属钽为靶材,采用磁控溅射法在钴铁硼金属层的表面上进行沉积,形成保护层。
2.根据权利要求1所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法,其特征在于:步骤1所述CO2红外激光器的工艺参数为:激光电流3.5mA,激光扫描速度100mm/s。
3.根据权利要求1所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法,其特征在于:步骤2所述预烘的条件为:80℃预烘至溶剂完全蒸发。
4.根据权利要求1所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法,其特征在于:步骤3所述金属钴铁硼为Co40Fe40B20合金靶材。
5.根据权利要求1或4所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法,其特征在于:所述柔性衬底选用聚酰亚胺塑料薄膜、纸张或布料。
6.根据权利要求5所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法,其特征在于:所述磁控溅射法的工作气压为0.9Pa,溅射功率为200W,保护气体为惰性气体,溅射过程中提供大小为250Oe的平行于基片方向的外加磁场,溅射时间5~10min。
7.根据权利要求6所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结的制备方法,其特征在于:Co40Fe40B20合金靶材的纯度不低于99.99%。
8.一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结,其特征在于:由权利要求1-7任一项所述的方法制备得到。
9.根据权利要求8所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结,其特征在于:包括从下而上依次设置的柔性衬底、石墨烯薄膜、铁电层、金属铁磁层和钽保护层。
10.根据权利要求9所述一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结,其特征在于:所述铁电层为P(VDF-TrFE)聚合物薄膜,厚度为100~200nm;所述金属铁磁层为钴铁硼薄膜,厚度为100~200nm;所述钽保护层的厚度为5nm。
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