[发明专利]晶圆的切割方法有效

申请号：	202011355128.1	申请日：	2020-11-27
公开（公告）号：	CN112447591B	公开（公告）日：	2022-06-07
发明（设计）人：	肖酉;苏亚青;谭秀文	申请（专利权）人：	华虹半导体（无锡）有限公司
主分类号：	H01L21/78	分类号：	H01L21/78;H01L21/67;H01L21/66
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	焦健
地址：	214028 江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	切割方法
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【权利要求书】：

1.一种晶圆的切割方法，其特征在于：在切割单元对晶圆进行环切时，在晶圆下方设置热感模块，热感模块与切割头在晶圆两面分别放置；热感模块在切割时，能实时感应到切割过程中切割区域的温度的变化，并将温度信号传输给信号处理单元，信号处理单元将温度信号传送至数据处理单元，数据处理单元通过反馈信号回路对切割头进行控制，精确控制切割量。

2.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述的切割头在对晶圆进行切割时，由于切割时间及切割量的不同，导致切割点的温度发生变化，在切割过程中温度会不断上升，而当将晶圆切透时，温度会出现突变，因此基于对切割区域的温度监控来抓取切割的停止点。

3.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述的热感模块的数量为1～10个。

4.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：在晶圆吸附于切割台面上之后，所述的热感模块安装在晶圆半径130～150mm区域的正下方位置。

5.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述的热感模块将晶圆切割过程中的温度信息经信号处理单元传输到数据处理单元，数据处理单元内置一个阈值，当晶圆切割位置的温度达到所述阈值时，数据处理单元通过反馈信号电路对切割头的切割状态进行调整。

6.如权利要求5所述的晶圆的切割方法，其特征在于：通过所述的反馈信号电路，实现热感模块与切割头之间的反馈与联动。

7.如权利要求5所述的晶圆的切割方法，其特征在于：根据晶圆切割区域切透前与切透后的温度的突变，及时侦测到切透的时间点，达到对激光环切工艺的精确控制。

8.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述的晶圆为适用于TAIKO减薄工艺的晶圆，所述晶圆厚度在20～250um之间。

9.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述的热感模块为温度探头。

10.如权利要求9所述的晶圆的切割方法，其特征在于：所述温度探头为红外温度探头或者热敏温度探头。

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