专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种晶圆切割方法、位置控制装置及环切设备-CN202310893991.X在审
  • 肖酉;许有超;孙运龙;姚艳花 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2023-07-19 - 2023-09-19 - B23K26/08
  • 本发明实施例公开了一种晶圆切割方法、位置控制装置及环切设备;通过优化激光部件(010)与支撑部件(040)的空间位置,调整晶圆激光处理过程末段,特别是切割(Dicing)或划片(Die Sawing)工序的处理效果;随晶圆(020)切割过程的推进,通过减小激光部件(010)与支撑部件(040)之间的距离,避免晶圆底层或接连部分尾段剩余部分的漏切;其中,支撑部件(040)可通过位置控制装置(090)来驱动,并通过其垂直方向的间歇式平动,实现切开过程末段的精确控制;此外,还可通过优化移动过程的平动步长和分段方式,进一步优化执行效率;其方法和产品尤其适用于厚度在20微米与250微米之间的晶圆,可有效提升切割质量,避免工件破片和裂纹等瑕疵的出现。
  • 一种切割方法位置控制装置设备
  • [发明专利]一种Taiko减薄晶圆的去环方法-CN202211287584.6在审
  • 朱田;谭秀文;许有超;肖酉;孙运龙 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2022-10-20 - 2023-01-03 - H01L21/304
  • 本发明提供一种Taiko减薄晶圆的去环方法,包括采用Taiko减薄工艺对晶圆背面进行减薄;设定激光光源的位置并调整激光光斑直径;用激光轰击晶圆,在Taiko环与晶圆之间形成切割道;将激光光源的位置向晶圆方向移动一预设距离,然后继续用激光轰击晶圆;继续移动轰击直至切割道变宽;通过取环工艺移除Taiko环。本发明采用多步激光切割的方式来扩大切割道宽度,解决了目前Taiko环去环工艺容易导致晶圆出现裂纹和碎片的问题,避免了去环时裂纹和碎片现象的发生,降低了晶圆边缘裂纹率,提高了去环工艺效率。
  • 一种taiko减薄晶圆方法
  • [发明专利]太鼓环取环装置-CN202210815504.3在审
  • 孙运龙;肖酉;许有超;朱田 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2022-07-08 - 2022-11-01 - H01L21/683
  • 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域,具体涉及一种太鼓环(Taiko)取环装置。太鼓环取环装置包括:能够与保护膜的裙边下表面处接触的保护膜紧张度调节环和入刀角度调节环;所述保护膜能够粘附在带有太鼓环的晶片表面,且所述保护膜的裙边延伸出所述太鼓环外;所述保护膜紧张度调节环位于所述入刀角度调节环外,能够上下移动调节所述保护膜的张紧程度;所述入刀角度调节环位于所述保护膜紧张度调节环所在水平方向的上侧,能够上下移动调节所述保护膜的裙边与太鼓环下表面之间的夹角,所述夹角为入刀角度。本申请提供的太鼓环取环装置,可以解决相关技术中入刀角度和保护膜的紧张程度难以兼顾的问题。
  • 太鼓环取环装置
  • [发明专利]太鼓减薄晶圆的取环方法-CN202210470569.9在审
  • 肖酉;孙运龙;许有超;朱田 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2022-04-28 - 2022-08-02 - H01L21/304
  • 本发明公开了一种太鼓减薄晶圆的取环方法,包括:步骤一、对太鼓减薄晶圆进行环切;步骤二、进行双重对准工艺,包括:对环切后的所述中间部分的外侧边缘进行检测实现第一重对准;对环切后的支撑环的外侧边缘进行检测实现第二重对准;步骤三、进行取环工艺将所述支撑环去除;在取环工艺中,利用第一重对准确定中间部分的位置,利用第二重对准确定取环刀片的作用位置。本发明能提高位于环切完成后以及取环之前的对准工艺的准确度,增加取环窗口,降低裂纹率,最后提高取环稳定性。
  • 太鼓减薄晶圆方法
  • [发明专利]晶圆的切割方法-CN202011355128.1有效
  • 肖酉;苏亚青;谭秀文 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2020-11-27 - 2022-06-07 - H01L21/78
  • 本发明公开了一种晶圆的切割方法,在切割单元对晶圆进行环切时,在晶圆下方设置热感模块,热感模块与切割头在晶圆两面分别放置;热感模块在切割时,能实时感应到切割过程中切割区域的温度的变化,并将信号传输给信号处理单元,信号处理单元将热感信号传送至数据处理单元,数据处理单元通过反馈信号回路对切割头进行控制,精确控制切割量。
  • 切割方法
  • [发明专利]晶圆的切割方法-CN202210299949.0在审
  • 肖酉;苏亚青;谭秀文;陈旋 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2022-03-25 - 2022-05-27 - B23K26/38
  • 一种晶圆的切割方法,包括:提供待切割晶圆;对所述晶圆进行激光切割,直至所述晶圆被贯穿,所述激光切割包括n阶段切割步骤,所述n阶段切割步骤中的第i阶段切割步骤的功率大于第i‑1阶段切割步骤的功率,所述1<i≤n,n为大于等于2的自然数。本发明实施例提供的晶圆的切割方法,调整不同阶段激光切割的功率,可以减小切割前期溅射到晶圆表面的高温硅屑,降低在晶圆表面造成的热影响区域,提高晶圆良率。
  • 切割方法
  • [发明专利]用于太鼓减薄的环切工艺的取环装置和方法-CN202110410044.1在审
  • 肖酉;苏亚青;谭秀文;陈旋 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2021-04-16 - 2021-08-06 - B28D5/00
  • 本发明公开了一种用于太鼓减薄的环切工艺的取环装置,包括:去环刀片,光感模块、信号处理单元和数据处理单元。光感模块设置在去环刀片的底部;光感模块用于去环刀片在向插入位置移动过程中侦测支撑环和切割胶带之间的亮度变化;信号处理单元用于对所侦测的亮度进行处理并获得支撑环和切割胶带之间交界位置;数据处理单元根据所获得的交界位置计算出去环刀片的插入位置并根据插入位置对去环刀片的移动进行反馈控制并最后使去环刀片移动到插入位置。本发明还公开了一种用于太鼓减薄的环切工艺的取环方法。本发明能精准控制去环刀片的插入位置,能提高取环工艺窗口并提高取环设备的稳定性。
  • 用于太鼓减薄工艺装置方法
  • [发明专利]太鼓环切机台的太鼓环回收装置-CN202011501808.X在审
  • 陈旋;苏亚青;谭秀文;肖酉 - 华虹半导体(无锡)有限公司
  • 2020-12-18 - 2021-04-30 - B28D7/00
  • 本发明公开了一种太鼓环切机台的太鼓环回收装置,包括:设置在太鼓环回收桶中的升降单元;升降单元的顶部表面到太鼓环回收桶的顶部开口之间的区域为回收区域;太鼓环从太鼓环回收桶的顶部开口采用掉落的方式收集到回收区域中;升降单元的顶部表面具有上下升降功能,在回收区域未收集太鼓环时升降单元的顶部表面最高,随着回收数量增加,升降单元的顶部表面逐渐降低。本发明能降低回收太鼓环时太鼓环时掉落高度从而能降低碎片率或者基本不碎片,同时还不会影响太鼓环回收装置的容积;还能在太鼓环回收装置装满之前及时对太鼓环回收装置清理,从而能防止发生装满报警以及由此产生的机台急停和晶圆返工缺陷。
  • 太鼓环切机台太鼓环回收装置
  • [发明专利]一种合金电阻器的热处理方法-CN201910628268.2有效
  • 杨漫雪;肖酉;罗亚涛 - 南京萨特科技发展有限公司
  • 2019-07-12 - 2021-04-30 - H01C17/30
  • 本发明提供一种合金电阻器的热处理方法,通过利用低精度真空/气氛保护炉对合金电阻器加热至第一温度点,维持第一温度点预设定的加热时间;在预设定的加热时间后,采用至少一个第二温度点对合金电阻器进行保温,维持第二温度点所与设定的保温时间;然后在预设定的保温时间后,对合金电阻器进行降温处理,从而实现了最终生产出的合金电阻器的产品合格率高、生产效率高、成本低、阻值精度稳定性高且提升了合金电阻器的高温暴露性能和耐疲劳性能。
  • 一种合金电阻器热处理方法

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