[发明专利]气相外延方法

权利要求书

1.气相外延方法，具有以下方法步骤：

-在反应腔(K)中由外延气流(F)的气相在衬底的表面或前面层上生长具有从p掺杂改变至n掺杂的掺杂变化曲线的III-V层，该外延气流具有承载气体、用于III.主族中的元素的至少一个第一前体和用于V.主族中的元素的至少一个第二前体，其中，

-在达到第一生长高度(x₁)时，借助于所述外延气流(F)中的所述第一前体的第一质量流相对于所述第二前体的第二质量流的比例调设出第一掺杂初始值(D_A1)，并且

-随后，通过所述第一前体的所述第一质量流相对于所述第二前体的所述第二质量流的比例的逐步的或连续的改变并且通过所述外延气流中的用于n掺杂剂的第三前体的质量流的逐步的或连续的增大，使所述III-V层的掺杂(D)跨越具有至少10μm的生长高度的过渡区域层改变，直至达到n掺杂目标值(D_Z)。

2.根据权利要求1所述的气相外延方法，其特征在于，所述第一掺杂初始值(D_A1)是p掺杂初始值并且为最高5·10¹⁶cm^-3或者最高1·10¹⁶cm^-3或者最高1·10¹⁵cm^-3或者最高5·10¹⁴cm^-3。

3.根据权利要求1所述的气相外延方法，其特征在于，所述第一掺杂初始值(D_A1)是n掺杂初始值并且为最高1·10¹⁵cm^-3或者最高5·10¹⁴cm^-3或者最高1·10¹⁴cm^-3。

4.根据前述权利要求中任一项所述的气相外延方法，其特征在于，所述n掺杂目标值(D_Z)为最高5·10¹⁶cm^-3或者最高1·10¹⁶cm^-3或者最高1·10¹⁵cm^-3或者最高5·10¹⁴cm^-3。

5.根据前述权利要求中任一项所述的气相外延方法，其特征在于，所述过渡区域的生长高度为至少30μm或者至少60μm。

6.根据前述权利要求中任一项所述的气相外延方法，其特征在于，所述掺杂(D)跨越所述过渡区域层在每5μm的生长高度(x)上以最高1·10¹³cm^-3改变。

7.根据前述权利要求中任一项所述的气相外延方法，其特征在于，所述掺杂(D)跨越所述过渡区域层以至少四个步进改变。

8.根据前述权利要求中任一项所述的气相外延方法，其特征在于，所述III.主族的元素是镓并且所述V.主族的元素是砷。

9.根据前述权利要求中任一项所述的气相外延方法，其特征在于，所述第三前体是甲硅烷。

10.根据前述权利要求中任一项所述的气相外延方法，其特征在于，所述第一掺杂初始值(D_A1)从第二p掺杂初始值(D_A2)出发通过所述第一质量流相对于所述第二质量流的比例的跃迁式改变调设出。

11.根据权利要求10所述的气相外延方法，其特征在于，所述第二p掺杂初始值(D_A2)为最高5·10¹⁶cm^-3或者最高1·10¹⁶cm^-3。