[发明专利]芯片内减振结构的装配方法

说明书

本发明涉及芯片内部减振技术领域，提供了一种芯片内减振结构的装配方法。该芯片内减振结构的装配方法，包括如下步骤：选取基片，在所述基片的安装面上制备安装台和振动梁，并在所述安装台上制备凹槽，以及与所述凹槽连接的定位装配区，在所述振动梁上制备引出电极，所述安装台上还制备有用以连接所述引出电极和所述芯片的电极的过渡电极；将芯片放置在所述凹槽上，并使所述芯片的安装区与所述定位装配区对应装配，连接所述芯片的电极和所述过渡电极。本发明操作简单方便，通过芯片放置在凹槽上，且芯片的安装区与定位装配区对应装配，保证芯片与安装台的同中心装配，防止芯片与安装台发生偏移，保证芯片的性能。

技术领域

本发明涉及芯片内部减振技术领域，特别是涉及一种芯片内减振结构的装配方法。

背景技术

航天器件的工作力学环境十分恶劣，振动加速度大、频率范围广、受激时间久等，严重影响着元器件的精度和性能。因此，必须设计高性能的减振系统，隔离来自载体的强烈振动和冲击，为测量组合提供良好的工作环境，确保其可靠、稳定的工作。为保证器件的性能，现在常用方法使在器件外添加橡胶减振支架，再将减振支架封到定制的外壳中密封，形成减振系统以隔离来自载体的强烈振动和冲击，确保其可靠、稳定的工作。

若装配时石英晶振的中心与减振系统的中心偏移较多，在振动传递时，减振系统和石英晶振会发生Z向偏移，严重的会影响产品的性能。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，为此，本发明提出一种芯片内减振结构的装配方法，以解决现有芯片与减振系统装配时易发生中心偏移的问题。

根据本发明实施例提供的一种芯片内减振结构的装配方法，包括如下步骤：

选取基片，在所述基片的安装面上制备安装台和振动梁，并在所述安装台上制备凹槽，以及与所述凹槽连接的定位装配区，在所述振动梁上制备引出电极，所述安装台上还制备有用以连接所述引出电极和所述芯片的电极的过渡电极；

将芯片放置在所述凹槽上，并使所述芯片的安装区与所述定位装配区对应装配，连接所述芯片的电极和所述过渡电极。

根据本发明实施例提供的芯片内减振结构的装配方法，操作简单方便，通过芯片防止在凹槽上，且芯片的安装区与定位装配区对应装配，保证芯片与安装台的同中心装配，防止芯片与安装台发生偏移，保证芯片的性能。

根据本发明的一个实施例，所述选取基片，在所述基片的安装面上制备安装台和振动梁，并在所述安装台上制备凹槽，以及与所述凹槽连接的定位装配区，在所述振动梁上制备引出电极，所述安装台上还制备有用以连接所述引出电极和所述芯片的电极的过渡电极步骤中，还包括：

在所述基片的安装面进行镀膜，制作金属掩膜层；

对所述金属掩膜层进行光刻并湿法腐蚀去胶，获得所述安装台和所述振动梁的所述金属掩膜层的图形。

根据本发明的一个实施例，所述选取基片，在所述基片的安装面上制备安装台和振动梁，并在所述安装台上制备凹槽，以及与所述凹槽连接的定位装配区，在所述振动梁上制备引出电极，所述安装台上还制备有用以连接所述引出电极和所述芯片的电极的过渡电极步骤中，还包括：

在所述安装台和所述振动梁的所述金属掩膜层上涂覆第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层光刻，获得所述定位装配区、所述过渡电极以及所述引出电极的光刻胶图形。

根据本发明的一个实施例，所述选取基片，在所述基片的安装面上制备安装台和振动梁，并在所述安装台上制备凹槽，以及与所述凹槽连接的定位装配区，在所述振动梁上制备引出电极，所述安装台上还制备有用以连接所述引出电极和所述芯片的电极的过渡电极步骤中，还包括：

在所述第一光刻胶层上涂覆与其极性相反的第二光刻胶层，对所述第二光刻胶层光刻获得所述凹槽的图形；