[发明专利]芯片内减振结构的装配方法

权利要求书

1.一种芯片内减振结构的装配方法，其特征在于，包括如下步骤：

选取基片，在所述基片的安装面上制备安装台和振动梁，并在所述安装台上制备凹槽，以及与所述凹槽连接的定位装配区，在所述振动梁上制备引出电极，所述安装台上还制备有用以连接所述引出电极和所述芯片的电极的过渡电极；

在所述基片的安装面进行镀膜，制作金属掩膜层；

对所述金属掩膜层进行光刻并湿法腐蚀去胶，获得所述安装台和所述振动梁的所述金属掩膜层的图形；

在所述安装台和所述振动梁的所述金属掩膜层上涂覆第一光刻胶层，对所述第一光刻胶层光刻，获得所述定位装配区、所述过渡电极以及所述引出电极的光刻胶图形；

在所述第一光刻胶层上涂覆与其极性相反的第二光刻胶层，对所述第二光刻胶层光刻获得所述凹槽的图形；

通过湿法刻蚀所述基片，获得所述安装台和所述振动梁，并对所述凹槽的图形内的金属掩膜层和所述安装台湿法刻蚀，制得所述凹槽；

将芯片放置在所述凹槽上，并使所述芯片的安装区与所述定位装配区对应装配，连接所述芯片的电极和所述过渡电极。

2.根据权利要求1所述的芯片内减振结构的装配方法，其特征在于，所述选取基片，在所述基片的安装面上制备安装台和振动梁，并在所述安装台上制备凹槽，以及与所述凹槽连接的定位装配区，在所述振动梁上制备引出电极，所述安装台上还制备有用以连接所述引出电极和所述芯片的电极的过渡电极步骤中，还包括：

将所述定位装配区、所述过渡电极以及所述引出电极上的所述第二光刻胶层融除，湿法腐蚀获得与所述第一光刻胶层相同图形的金属膜电极，将所述定位装配区、所述过渡电极以及所述引出电极上的所述第一光刻胶层融除，制得所述定位装配区、所述过渡电极以及所述引出电极。

3.根据权利要求1所述的芯片内减振结构的装配方法，其特征在于，所述凹槽为环形凹槽；

或，所述凹槽包括装配凹槽和环形凹槽，所述环形凹槽与所述装配凹槽同中心，且所述环形凹槽的内径大于所述装配凹槽的内径，所述环形凹槽的外径与所述芯片的外径相同。

4.根据权利要求1所述的芯片内减振结构的装配方法，其特征在于，所述将芯片放置在所述凹槽上，并使所述芯片的安装区与所述定位装配区对应装配，连接所述芯片的电极和所述过渡电极步骤中，所述芯片通过胶水或金锡焊片与所述安装台装配连接。

5.根据权利要求1所述的芯片内减振结构的装配方法，其特征在于，还包括如下步骤：

沿所述安装台的周侧均匀设置多个所述振动梁，所述振动梁加工有至少一个回折部；

在其中两个或多个所述振动梁上制作所述引出电极。

6.根据权利要求1所述的芯片内减振结构的装配方法，其特征在于，还包括如下步骤：

将所述安装台通过胶水装配至基座上，在所述基座上设置与所述振动梁一一对应装配适配的导电支柱；

所述振动梁通过导电胶或键合金丝与所述导电支柱装配连接。

7.根据权利要求6所述的芯片内减振结构的装配方法，其特征在于，所述基片的材质为石英，所述基座的材质选用金属或陶瓷。